[发明专利]半导体存储器件以及半导体存储器件的修复方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

存储器；以及

存储器控制器，其被配置为控制所述存储器，

其中，所述存储器控制器包括：

正常操作控制部分，其被配置为控制所述存储器的正常操作，其中，所述正常操作控制部分包括在控制所述正常操作时使用的多个储存空间；以及

修复部分，其被配置为控制所述存储器的修复操作，并且被配置为将在控制所述修复操作时检测到的故障地址储存到包括在所述正常操作控制部分中的所述多个储存空间中。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述存储器和所述存储器控制器具有集成在单个衬底上的模块结构。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

其中，所述存储器的所述正常操作包括针对所述存储器的读取操作和写入操作；以及

其中，所述存储器的修复操作包括测试所述存储器并且用备用单元替换通过测试所述存储器而检测到的故障单元。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述多个储存空间中的每个使用寄存器或静态随机存取存储器SRAM来实现。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

其中，所述修复部分包括内建自测BIST电路和内建冗余分析BIRA电路；

其中，所述BIST电路被配置为对所述存储器执行测试操作，以及将在所述测试操作期间检测到的故障单元的故障地址传输到所述BIRA电路；以及

其中，所述BIRA电路被配置为将从所述BIST电路输出的所述故障地址储存到包括在所述正常操作控制部分中的所述多个储存空间中，并且基于储存在所述BIRA电路中的所述故障地址来确定修复方案。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括选择器，所述选择器被配置为选择在所述正常操作控制部分与所述存储器之间的第一信号传输路径以及在所述修复部分与所述存储器之间的第二信号传输路径中的任意一个并将其使能。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述正常操作控制部分包括：

多路复用器，其被配置为通过第一输入端子和第二输入端子中的对应的端子接收正常操作输入信号和修复操作输入信号，并且被配置为响应于模式选择控制信号而将所述正常操作输入信号和所述修复操作输入信号中的一个输出到所述多个储存空间；以及

解复用器，其包括：连接至所述正常操作控制部分中的传输路径的第一输出端子，以及连接至所述修复部分的第二输出端子，并且所述解复用器被配置为响应于所述模式选择控制信号而通过所述第一输出端子和所述第二输出端子中的一个输出从所述多个储存空间输出的数据。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

其中，所述储存空间对应于多个共享空间，所述多个共享空间被设置成具有管线结构并且彼此不同；

其中，所述修复部分包括多个内建冗余分析BIRA有限状态机FSM，所述BIRA FSM与所述多个共享空间一起提供多个级；以及

其中，所述多个级中的每个包括所述多个共享空间中的一个和所述多个BIRA FSM中的一个，以执行BIRA操作。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器件，其中，所述多个级中的第一级被配置为从内建自测BIST电路接收所述故障地址，并且所述第一级用作缓冲器。