[发明专利]铟锆硅氧化物靶材及其制法及铟锆硅氧化物薄膜

权利要求书

1.一种铟锆硅氧化物靶材，其特征在于，其包含硅酸锆结晶相及三氧化二铟结晶相；该铟锆硅氧化物靶材不包含双硅酸二铟结晶相；其中，所述铟锆硅氧化物靶材中，硅的原子数相对于铟、锆及硅的原子总数的比值大于或等于0.11且小于或等于0.26，以及，锆的原子数相对于铟、锆及硅的原子总数的比值大于或等于0.11且小于0.20。

2.根据权利要求1所述的铟锆硅氧化物靶材，其特征在于，硅的原子数相对于铟的原子数的比值大于或等于0.12且小于或等于0.57。

3.根据权利要求1或2所述的铟锆硅氧化物靶材，其特征在于，该铟锆硅氧化物靶材的平均体电阻率小于5x10^-4奥姆-厘米。

4.一种制造铟锆硅氧化物靶材的方法，其特征在于，包含下列步骤：

(1)将硅酸锆粉末及三氧化二铟粉末混合并进行喷雾造粒，得到造粒粉末；

(2)将该造粒粉末进行预成型，得到一靶胚；及

(3)将该靶胚以1000℃至1400℃的温度在真空环境下烧结1小时至5小时，以获得该铟锆硅氧化物靶材；该铟锆硅氧化物靶材包含硅酸锆结晶相及三氧化二铟结晶相，该铟锆硅氧化物靶材不包含双硅酸二铟结晶相。

5.根据权利要求4所述的制造铟锆硅氧化物靶材的方法，其特征在于，该步骤(1)包含将硅酸锆粉末、三氧化二铟粉末及二氧化锆粉末混合并进行喷雾造粒，得到造粒粉末。

6.一种铟锆硅氧化物薄膜，其特征在于，其是由权利要求1至3中任一项所述的铟锆硅氧化物靶材以直流溅镀法溅镀而成。