[发明专利]一种AMOLED用的掩膜版制作方法及掩膜版在审
申请号: | 202110157006.X | 申请日: | 2021-02-04 |
公开(公告)号: | CN112965334A | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 钱超;杨波;洪明;王有明 | 申请(专利权)人: | 江苏高光半导体材料有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/46;G03F1/68;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 南京行高知识产权代理有限公司 32404 | 代理人: | 肖念 |
地址: | 212400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 amoled 掩膜版 制作方法 | ||
1.一种掩膜版,包括掩膜版基板(1),其特征在于,所述掩膜版基板(1)的一端板面上设有图形块(2),所述掩膜版基板(1)与图形块(2)之间设有透明板(3),所述透明板(3)与图形块(2)和掩膜版基板(1)均固定连接,所述掩膜版基板(1)背离透明板(3)的一侧设有涂层(4),所述掩膜版基板(1)中嵌合有多道与图形块(2)相对应的金属条(5),所述金属条(5)的上端贯穿涂层(4)设置,多条所述金属条(5)相互连接,且其两端分别有端头平行伸出掩膜版基板(1)的断层外,通过端头可与外部电源的正负极相连接。
2.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述透明板(3)为透明硬质胶状,所述透明板(3)与图形块(2)的接触面凹凸不平,所述透明板(3)与掩膜版基板(1)通过胶接粘接。
3.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述透明板(3)厚度为10-20μm。
4.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述涂层(4)为全黑色,涂料为梵塔黑材质,所述涂层(4)与图形块(2)相对应,其与多个图形块(2)之间的间隙为无色。
5.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述金属条(5)垂直插入至掩膜版基板(1)中,且其端头呈楔形状,所述金属条(5)的表面还电镀有铬层。
6.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述金属条(5)的宽度小于对应的图形块(2),且其上端延长的长度为10-15nm。
7.一种AMOLED用的掩膜版制作方法,应用于权利要求1-6任一项所述的AMOLED用的掩膜版制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:夹持固定,将掩膜版基板(1)进行夹持固定,并将金属条(5)夹持安放在掩膜版基板(1)上,将其与之嵌合;
S2:遮挡保护,将掩膜版基板(1)的图形块(2)部分用薄膜进行遮盖;
S3:镀层,预先将遮挡物放置在多道金属条(5)之间,将梵塔黑涂料涂设在掩膜版基板(1)的表面;
S4:遮挡物剥离,在晾至一段时间后,将掩膜版基板(1)整体平移他处进行短暂烘干,随后将薄膜和遮挡物剥离。
8.根据权利要求7所述的AMOLED用的掩膜版制作方法,其特征在于,所述薄膜为抗热性膜,抗热温度为100-150℃。
9.根据权利要求7所述的AMOLED用的掩膜版制作方法,其特征在于,所述S3中梵塔黑涂料通过喷涂法涂设至掩膜版基板(1)的表面。
10.根据权利要求7所述的AMOLED用的掩膜版制作方法,其特征在于,所述薄膜包裹范围包括透明板(3)和掩膜版基板(1)的侧边。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备