[发明专利]一种TOPCon电池梯度掺杂非晶硅钝化结构及制备方法

权利要求书

1.一种TOPCon电池梯度掺杂非晶硅钝化结构，其特征在于，硅片的隧穿氧化层一侧至少沉积有两层掺杂非晶硅薄膜，且多层所述掺杂非晶硅薄膜的掺杂浓度由接触所述隧穿氧化层一侧起呈梯度增加。

2.根据权利要求1所述的一种TOPCon电池梯度掺杂非晶硅钝化结构，其特征在于，每层所述掺杂非晶硅薄膜的厚度为10-40nm，多层所述掺杂非晶硅薄膜的总厚度为60-80nm。

3.一种TOPCon电池梯度掺杂非晶硅钝化结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

首先在隧穿氧化层表面沉积一层低膜厚低掺杂浓度的掺杂非晶硅薄膜；

然后，重复上述掺杂沉积过程，以在第一层低膜厚低掺杂浓度的掺杂非晶硅薄膜表面连续沉积多层低膜厚且掺杂浓度梯度提升的掺杂非晶硅薄膜。

4.根据权利要求3所述的一种TOPCon电池梯度掺杂非晶硅钝化结构的制备方法，其特征在于，掺杂沉积过程采用磷烷或其他含磷掺杂源。

5.根据权利要求3所述的一种TOPCon电池梯度掺杂非晶硅钝化结构的制备方法，其特征在于，掺杂沉积过程采用硼烷或其他含硼掺杂源。

6.一种TOPCon太阳能电池，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的梯度掺杂非晶硅钝化结构。