[发明专利]一种应用于N77与N79频段的射频前端模组

说明书

本发明公开了一种应用于5G N77与N79频段的射频前端模组，涉及射频前端技术领域。本发明包括射频开关,用于控制射频前端模组从天线接收或发射信号；集成无源器件滤波器(IPD)，作为片上射频滤波器，用于射频接收前端进行频带选择，对所需频带以外的信号进行抑制或阻断。本发明通过N77与N79频段的射频前端模组既可以工作于接收(RX)模式，也可以工作于发射(TX)模式，当工作于RX模式时，集成在片内的IPD滤波器进行频带选择，再经过低噪声放大器对射频信号放大，该射频前端模组集成度高，同时具有选择工作频带以及低噪声放大的能力，减少射频前端占用面积和体积，适用范围广，安全可靠。

技术领域

本发明属于射频前端术领域，特别是涉及一种应用于N77与N79频段的射频前端模组。

背景技术

随着智能移动终端和5G技术的普及，为了在紧凑的空间中实现复杂的功能，需要高集成度的解决方案。射频前端模组是智能移动终端的关键部分，用于接收和发射信号，传统的射频前端模组常采用片外射频滤波器，主流移动终端应用的滤波器有SAW滤波器、BAW滤波器和FBAR滤波器，SAW滤波器最佳适用频率低于1.5GHz，BAW滤波器和FBAR滤波器垄断程度高、工艺成本高，而集成无源器件滤波器应用成熟和先进的制造工艺，具有面积和体积小、性能高且一致性好等优势。

现有技术中，工作在5G N77和N79频段的射频收发机前端模组集成度低、成本高，因此，需要优化设计。

发明内容

本发明的目的在于提供一种应用于N77与N79频段的射频前端模组，通过N77与N79频段的射频前端模组既可以工作于RX模式，也可以工作于TX模式，当工作于RX模式时，集成在片内的IPD滤波器进行频带选择，再经过低噪声放大器对射频信号放大，该射频前端模组集成度高，同时具有选择工作频带以及低噪声放大的能力，减少射频前端占用面积和体积，适用范围广，安全可靠，解决了上述现有技术中存在的问题。

为达上述目的，本发明是通过以下技术方案实现的：

一种应用于N77与N79频段的射频前端模组，包括射频开关,用于控制射频前端模组从天线接收或发射信号；集成无源器件滤波器，作为片上射频滤波器，用于射频接收前端进行频带选择，对所需频带以外的信号进行抑制或阻断；低噪声放大器，工作于3.3GHz到4.2GHz频段或4.4GHz到5GHz频段，用于将从天线接收到的信号进行放大并输出至后级电路。

可选的，射频开关RFSW的输入端既可以是天线端ANT，也可以是射频信号发射端TX。

可选的，当工作模式是RX时，射频前端模组用于接收并放大信号，射频开关的输入端是天线端ANT，射频开关的输出端是IPD滤波器的输入端，当工作模式是TX时，射频前端模组用于发射信号，射频开关的输入端是射频信号发射端TX，射频开关的输出端是天线端ANT。

可选的，集成无源器件滤波器的输入端和工作于RX模式的射频开关的输出端连接，集成无源器件滤波器的输出端和低噪声放大器的输入端连接。

可选的，集成无源器件滤波器电路制作在高阻硅晶圆上。

可选的，低噪声放大器的输入端和IPD滤波器的输出端相连,低噪声放大器的输出端为射频前端模组工作与RX模式的输出端RXOUT。

可选的，射频开关可以移除，射频前端模组仅用于接收并放大信号。

可选的，射频开关和低噪声放大器制作在同一片晶圆的同一个晶粒上。

可选的，集成无源器件滤波器的制造工艺与SOI工艺、CMOS工艺等兼容。

本发明的实施例具有以下有益效果：