[发明专利]固体摄像装置和电子设备

说明书

本技术涉及能够改善饱和特性的固体摄像装置和电子设备。光电二极管被形成在基板上，并且浮动扩散部积累从所述光电二极管读取的信号电荷。在所述光电二极管与所述浮动扩散部之间的区域中、从所述基板的表面沿深度方向形成有多个垂直栅极电极。在夹于所述多个垂直栅极电极的区域中形成有溢出路径。本技术能够被应用到CMOS图像传感器。

本申请是申请日为2016年1月22日、发明名称为“固体摄像装置和电子设备”的申请号为201680004605.5专利申请的分案申请。

技术领域

本技术涉及固体摄像装置和电子设备，且更具体地，涉及能够改善饱和特性的固体摄像装置和电子设备。

背景技术

通常，人们已经知晓一种设置有传输栅极电极的固体图像传感器，该传输栅极电极是通过将平面栅极电极和垂直栅极电极一体地形成而获得的。

作为这样的固体图像传感器中的一者，曾经提议了将垂直栅极电极沿栅极宽度方向不均匀地安置的固体图像传感器(例如，参见专利文献1)。根据这种构造，可以控制溢出路径的电位，并且可以改善光晕特性(blooming characteristic)。

引用文献列表

专利文献

专利文献1：日本专利申请特开第2013-26264号

发明内容

本发明要解决的技术问题

然而，上述构造不能解决当机械快门进行操作时饱和信号量随时间而减少的现象。因此，不能获得足够的饱和特性。

本技术是鉴于这种状况而被实现的，并且本发明的目的在于改善饱和特性。

解决技术问题的技术方案

根据本技术的一个方面的固体摄像装置设置有：光电二极管，其被形成在基板上；浮动扩散部，其积累从所述光电二极管读取的信号电荷；多个垂直栅极电极，各所述垂直栅极电极在所述光电二极管与所述浮动扩散部之间的区域中、从所述基板的表面沿深度方向而被形成；以及溢出路径，其被形成在夹于所述多个垂直栅极电极之间的区域中。

在所述基板上还可以设置有平面栅极电极，所述平面栅极电极被形成得跨越所述光电二极管和所述浮动扩散部，并且所述垂直栅极电极可以与所述平面栅极电极一体地形成。

所述溢出路径可以被形成在比所述多个垂直栅极电极所达到的深度浅的区域中。

还可以设置有驱动电路，所述驱动电路向所述多个垂直栅极电极施加预定电压，并且在机械快门从打开状态关闭的时刻，所述驱动电路可以向所述多个垂直栅极电极施加比此前施加的负电压更大的负电压。

根据本技术的一个方面的电子设备设置有固体摄像装置，所述固体摄像装置包括：光电二极管，其被形成在基板上；浮动扩散部，其积累从所述光电二极管读取的信号电荷；多个垂直栅极电极，各所述垂直栅极电极在所述光电二极管与所述浮动扩散部之间的区域中、从所述基板的表面沿深度方向而被形成；以及溢出路径，其被形成在夹于所述多个垂直栅极电极之间的区域中。

根据本技术的一个方面，在光电二极管与浮动扩散部之间的区域中、从基板的表面沿深度方向形成有多个垂直栅极电极，并且在夹于多个垂直栅极电极之间的区域中形成有溢出路径。

本发明的有益效果

根据本技术的一个方面，能够改善饱和特性。

附图说明

图1是图示了机械快门的操作与饱和信号量之间的关系的图。

图2是图示了本技术的CMOS图像传感器的构造示例的框图。

图3是图示了像素的构造示例的平面图。