[发明专利]一种提升负跨导振荡器共模瞬态抗干扰度的控制电路

说明书

一种提升负跨导振荡器共模瞬态抗干扰度的控制电路，能够适应于尾电流源靠近电源轨的负跨导振荡器和尾电流源靠近地轨的负跨导振荡器；控制电路中将受控电流源与尾电流源并联，利用开关模块在电流源开关控制模块的控制下将受控电流源打开或关闭；利用检测模块检测负跨导振荡器输出节点的实时电位，并将检测结果输出至电流源开关控制模块；利用电流源开关控制模块将检测模块检测到的负跨导振荡器输出节点的实时电位与阈值进行比较，当负跨导振荡器输出节点的实时电位不超过阈值时控制开关模块将受控电流源关闭；当负跨导振荡器输出节点的实时电位超过阈值时控制开关模块将受控电流源打开，使得负跨导振荡器总的尾电流增大。

技术领域

本发明属于振荡器技术领域，涉及一种能够有效提升负跨导振荡器共模瞬态抗干扰度的控制电路。

背景技术

传统的片上变压器发射机主要由振荡器和信号调制电路组成，为了提升信号的CMTI((共模瞬态抗干扰度)，变压器的输入信号一般会调制成差分输入信号，但是这导致了输入信号到变压器输入的传输路径过长，信号传输延时较大。如图1和6所示为目前比较常用的负跨导振荡器，其中图1所示负跨导振荡器中尾电流源靠近电源轨，图6所示负跨导振荡器中尾电流源靠近地轨。这种振荡器能够整合信号调制电路、片上变压器初级电感，构成了片上变压器的发射机，因此减小了不必要的信号传输延时。但由于发射机和接收机RX的参考地不同，如图2所示，发射机的参考地是第一参考地GND1，接收机RX的参考地是第二参考地GND2，片上变压器就产生了位移电流；具体来说，当接收机的参考地发生快速的共模瞬态噪声时，会有位移电流I通过变压器初级与次级之间的寄生电容Cp注入或流出负跨导振荡器的两个输出节点X、Y。

以负跨导振荡器中尾电流源靠近电源轨为例，如图2所示，当接收机的参考地发生快速的负CMT事件(负CMT事件即电路中出现由高电压变为低电压的噪声信号，且噪声电压变化速度比较快)时，会有较大的位移电流从发射机流入接收机，导致负跨导振荡器的两个输出节点X、Y的电位下降，最终导致负跨导振荡器中N管电流反向，负跨导振荡器的两个输出节点X、Y的电位被钳位在一个负的二极管压降，振荡器停止振荡，信号无法传输。当接收机的参考地发生快速的正CMT事件(正CMT事件即电路中出现由低电压变为高电压的噪声信号，且噪声电压变化速度比较快)时，会有较大的位移电流从接收机流入发射机，导致负跨导振荡器的两个输出节点X、Y的电位上升，由于负跨导振荡器的两个输出节点X、Y的电位上升，会增大负跨导振荡器中N管的电流泄放能力，从而使得负跨导振荡器的两个输出节点X、Y的电位上升减缓，且会增大N管跨导，有利于振荡器维持振荡。因此负跨导振荡器中尾电流源靠近电源轨时，接收机的参考地发生快速的正CMT事件对振荡器的影响相对较小，但接收机的参考地发生快速的负CMT事件对振荡器影响很大，会使振荡器停止振荡，因此尾电流源靠近电源轨时，负跨导振荡器负CMTI较低，同样的，当尾电流源靠近地轨时，负跨导振荡器正CMTI较低，因此需要设计一种能够提升CMTI的负跨导振荡器。

发明内容

针对传统负跨导振荡器共模瞬态抗干扰度(CMTI)性能低的问题，本发明提出一种提升负跨导振荡器共模瞬态抗干扰度的控制电路，通过进行共模瞬态噪声检测和尾电流控制实现负跨导振荡器CMTI的提升。

负跨导振荡器中，当尾电流源靠近电源轨时，负跨导振荡器的负CMTI较低，针对这种情况本发明提出的控制电路的技术方案为：

一种提升负跨导振荡器共模瞬态抗干扰度的控制电路，所述负跨导振荡器包括靠近电源轨的尾电流源；所述控制电路包括检测模块、电流源开关控制模块、开关模块和受控电流源，所述受控电流源与所述尾电流源并联，所述开关模块用于在所述电流源开关控制模块的控制下将所述受控电流源打开或关闭；