[发明专利]一种无引线键合的双面散热IGBT模块在审
| 申请号： | 202110160268.1 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN112736049A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 言锦春;姚礼军 | 申请（专利权）人： | 上海道之科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/488;H01L25/07 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 陈琦;陈继亮 |
| 地址： | 201800*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 引线 双面 散热 igbt 模块 | ||
1.一种无引线键合的双面散热IGBT模块，包括IGBT模块本体，其特征在于：所述IGBT模块本体主要包括相对设置的上绝缘基板、下绝缘基板及设置在两绝缘基板间的端子和芯片部分，所述上绝缘基板和下绝缘基板均包括陶瓷绝缘层及设置在陶瓷绝缘层上下外表面的第一金属层和第二金属层，所述第二金属层包括金属导电层及附着在金属导电层上的绝缘阻焊层，所述绝缘阻焊层用于控制上绝缘基板和下绝缘基板的焊接区域范围；所述端子和芯片部分均通过焊料锡焊焊接在两绝缘基板第二金属层之间的金属导电层上，各芯片部分之间、各芯片部分与两绝缘基板相应的导电层之间、以及两绝缘基板的导电层与各端子之间均通过焊料锡焊焊接以进行电气连接。
2.根据权利要求1所述的无引线键合的双面散热IGBT模块，其特征在于：所述芯片部分为双面可焊接芯片部分，所述上绝缘基板与下绝缘基板之间的空隙区域均填充有用于提高各原器件之间耐压绝缘性能的绝缘凝胶。
3.根据权利要求2所述的无引线键合的双面散热IGBT模块，其特征在于：所述端子分布于IGBT模块本体宽度方向的两侧边上，所述端子包括功率端子和信号端子，且所述功率端子和信号端子均为柔性结构，端子靠近两绝缘基板的一侧设置有绝缘保护膜，绝缘保护膜的材质为聚酰亚胺薄膜。
4.根据权利要求2或3所述的无引线键合的双面散热IGBT模块，其特征在于：所述上绝缘基板和下绝缘基板的第一金属层和第二金属层均为裸露或电镀有一层可焊接金属材料。
5.根据权利要求4所述的无引线键合的双面散热IGBT模块，其特征在于：所述芯片部分与上绝缘基板和下绝缘基板间均通过焊接方式连接，所述焊接采用SnPb,SnAg, SnAgCu,PbSnAg含Sn焊接材料之一，焊接最高温度在100°到400°之间。
6.根据权利要求4所述的无引线键合的双面散热IGBT模块，其特征在于：所述端子为铜或银，端子表层为裸露或电镀有一层可焊接金属材料，端子通过锡焊焊接在上绝缘基板和下绝缘基板的导电层之间，所述的焊接采用SnPb,SnAg, SnAgCu,PbSnAg含Sn焊接材料之一，焊接最高温度在100°到400°之间。
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