[发明专利]一种探测器的集成结构及集成方法

权利要求书

1.一种探测器的集成方法，其特征在于，包括：

在第一衬底上制作读出电路结构，然后在所述读出电路结构的表面形成第一介质层，获得衬底A；

在第二衬底的表面由下至上依次形成锗缓冲层、堆叠本征层、P型掺杂锗层、第二介质层，获得衬底B；其中，所述堆叠本征层是由Ge层和Ge_1-xM_x层交替重复堆叠n次而成，M为Si或Sn，0＜x≤0.3，n≥1，并且所述堆叠本征层中的M类型相同；

以所述第一介质层和所述第二介质层为键合面，将所述衬底A和所述衬底B键合；

在所述键合后去除第二衬底、锗缓冲层，然后在所述堆叠本征层的表面形成N型掺杂锗层，再制作探测器结构；

将所述读出电路结构和所述探测器结构互连。

2.根据权利要求1所述的集成方法，其特征在于，所述第一介质层为氧化硅。

3.根据权利要求1或2所述的集成方法，其特征在于，所述第二介质层为氧化铝。

4.根据权利要求1所述的集成方法，其特征在于，所述锗缓冲层为低温锗和高温锗的复合层。

5.根据权利要求1所述的集成方法，其特征在于，所述去除第二衬底的方法为磨抛、湿法腐蚀、干法刻蚀和CMP相结合。

6.根据权利要求1所述的集成方法，其特征在于，所述去除锗缓冲层的方法为湿法腐蚀、干法刻蚀相组合。

7.一种探测器的集成结构，其特征在于，采用权利要求1-6任一项所述的集成方法集成。