[发明专利]一种军工级Nand闪存的检测方法、装置、电子设备及存储介质

说明书

本发明适用于闪存芯片技术领域，提供了一种军工级Nand闪存的检测方法、装置、电子设备及存储介质，其中方法包括：在不同型号，相同类型的多个Nand闪存内分别选取多个第一采样物理存储块；在不同温度节点下对多个所述第一采样物理存储块进行擦、写、读测试，以获取每个所述第一采样物理存储块在不同温度节点下的测试数据；通过所述测试数据获得所有的所述第一采样物理存储块中的纠错数据占最大纠错数据的比率；选出占比高于预设占比的所述第一采样物理存储块对应的Nand闪存。本发明提供的方法，解决了现有现有的方法无法检测出军工级Nand闪存的问题。

技术领域

本发明属于闪存芯片技术领域，尤其涉及一种军工级Nand闪存的检测方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

闪存是一种非易失性存储器，寿命较长。Nand flash是闪存的一种，主要功能是存储资料，常常应用于各类存储卡，比如固态硬盘(SSD)、嵌入式多媒体存储卡(MMC)、U盘、TF卡等。Nand flash顆粒根据每个存储单元内存储的比特个数分为SLC(Single-LevelCell)、MLC(Multi-Level Cell)、TLC(Triple-Level Cell)、QLC(Quad-Level Cell)。其中，SLC可存储一个比特，MLC存储两个比特，TLC存储三个比特。闪存的单个存储单元如果存储的比特越多，读写性能越差，寿命越短，成本也相应的较低。

根据闪存品质的差异，一般可分为军工级、汽车级、工业级、消费级四类，不同级别的芯片往往价格差别很大，应用场景也各自不同。这四类级别中，军工级是最优的，满足在-55℃～+125℃广域温度范围内正常工作，常常用于金融银行核心系统、证券交易系统、医院HIS和制造业MES、ERP系统等对存储系统有高性能、低延迟、高吞吐量的场景，这对NandFlash在多方面有了更高的要求，比如需要更好的耐温特性、抗震能力、稳定性、可靠性及性能等。因工作温度的高低温差高达180℃，范围广，温度变化的过程产品电气性能变化非常大，要求所有的元器件必须采用工业级别以外，对PCB材质、板材选出都有了极高的要求。军工级别Nand Flash除了对硬件有高级别要求以外，对采用的flash memory(闪存记忆)颗粒其ECC(Error Correcting Code，错误检查和纠正的技术)随着温度变化情况要求也极其严苛。

现有技术中，没有一种行之有效的方法，能够快速检测出符合军工级要求的Nand闪存。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种军工级Nand闪存的检测方法，旨在解决现有的技术无法检测出军工级Nand闪存的问题。

本发明实施例是这样实现的，一种军工级Nand闪存的检测方法，所述方法包括以下步骤：

在不同型号，相同类型的多个Nand闪存内分别选取多个第一采样物理存储块；

在不同温度节点下对多个所述第一采样物理存储块进行擦、写、读测试，以获取每个所述第一采样物理存储块在不同温度节点下的测试数据；

通过所述测试数据获得所有的所述第一采样物理存储块中的纠错数据占最大纠错数据的比率；

选出占比高于预设占比的所述第一采样物理存储块对应的Nand闪存。

更进一步地，所述方法还包括以下步骤：

在同一型号，不同批次的多个Nand闪存内选取相同编号的第二采样物理存储块，并以相同的方式写入样本数据；

测试所有第二采样物理存储块在预设擦写次数范围内产生纠错数据的数量；

选出产生纠错数据的数量大于预设数量的所述第二采样物理存储块对应的所述Nand闪存。

更进一步地，所述方法还包括以下步骤：