[发明专利]一种低介电热致液晶聚合物及其制备方法

权利要求书

1.一种低介电热致液晶聚合物，其特征在于，按摩尔百分比计，包含衍生自以下单体的重复单元：

对羟基苯甲酸 40~60mol%；

芳香型二醚二酸 10~20mol%；

对苯二甲酸 5~10mol%；

间苯二甲酸 5~10mol%；

双酚S 10~20mol%；

联苯二酚 5~15mol%。

2.根据权利要求1所述的低介电热致液晶聚合物，其特征在于，所述的芳香型二醚二酸、对苯二甲酸、间苯二甲酸的摩尔数之和与双酚S、联苯二酚的摩尔数之和的比值为1：（0.85~1.20）。

3.根据权利要求1所述的低介电热致液晶聚合物，其特征在于，所述的芳香型二醚二酸的结构为式（Ⅰ）、式（Ⅱ）或式（Ⅲ）中的任意一种，

式（Ⅰ）

式（Ⅱ）

式（Ⅲ）

其中，R₁选自、、、杂环芳香基团或多环芳香基团中的任意一种；所述n为大于或等于1的正整数；所述R₂选自、、、、、、、、氧原子、硫原子或高于6个碳原子的直链或支化的脂肪族二价基团中的任意一种，其中，n₂为1~6的正整数；所述杂环芳香基团是指构成环的原子除碳原子外，还至少含有一个杂原子的芳香基团；所述多环芳香基团是指两个或两个以上苯环以稠环形式相连的芳香基团。

4.根据权利要求3所述的低介电热致液晶聚合物，其特征在于，所述的芳香型二醚二酸的结构为。

5.根据权利要求3所述的低介电热致液晶聚合物，其特征在于，所述的芳香型二醚二酸选自双酚A型二醚二酸、双酚S型二醚二酸、联苯二酚型二醚二酸、6,6’-二羟基-2,2’-联吡啶型二醚二酸、2,6-萘二酚型二醚二酸、二(4,4'-二羟基)苯基乙炔型二醚二酸、二羟基二苯甲酮二醚二酸、二羟基二苯醚二醚二酸、二羟基二苯硫醚二醚二酸或苯酚型二醚二酸中的任意一种或几种。

6.根据权利要求1所述的低介电热致液晶聚合物，其特征在于，所述热致液晶聚合物的熔点为200℃~380℃；优选的，所述热致液晶聚合物的熔点为250℃~370℃；更优选的，所述热致液晶聚合物的熔点为280℃~360℃。

7.根据权利要求1~6任一项所述的低介电热致液晶聚合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）按照配比，在反应釜中加入乙酸酐溶液，再加入对羟基苯甲酸、芳香型二醚二酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、双酚S、联苯二酚和催化剂，升温至50~160℃乙酰化1~2h，然后以1~3℃/h速率升温至285~335℃，并保温反应7~10h，高温出料，冷却后，切粒或粉碎，得到预聚物；

（2）将步骤（1）得到的预聚物投入反应釜，在低于预聚物熔点20~30℃的条件下进行固相缩聚反应 5~48小时，制得低介电热致液晶聚合物；

其中，所述乙酸酐的用量为对羟基苯甲酸、联苯二酚、双酚S中羟基摩尔数之和的1.1~1.5倍；所述催化剂的用量为单体总摩尔数的0.01%~0.1%。

8.根据权利要求7所述的低介电热致液晶聚合物的制备方法，其特征在于，优选的，所述乙酸酐的用量为对羟基苯甲酸、联苯二酚、双酚S中羟基摩尔数之和的1.2~1.3倍。

9.根据权利要求7所述的低介电热致液晶聚合物的制备方法，其特征在于，所述催化剂选自含氮有机物或乙酸盐中的任意一种。

10.根据权利要求9所述的低介电热致液晶聚合物的制备方法，其特征在于，所述催化剂选自N-甲基咪唑、乙酸锌、乙酸钾、乙酸镁或乙酸钙中的任意一种。