[发明专利]DRAM及其制造方法

权利要求书

1.一种DRAM，其特征在于，包括：

半导体衬底；所述半导体衬底包括本体和突起结构；所述本体具有有源区；

所述突起结构形成在所述有源区上，且构成为导电体；

存储节点接触部，形成在所述突起结构上；

着陆焊盘，形成在所述存储节点接触部的上方，且所述着陆焊盘的底部与所述存储节点接触部电连接。

2.根据权利要求1所述的DRAM，其特征在于，所述突起结构呈柱状，所述柱状的横截面为圆形、四边形或六边形中的任一种。

3.根据权利要求2所述的DRAM，其特征在于，所述突起结构具有圆弧形顶面。

4.根据权利要求1所述的DRAM，其特征在于，所述突起结构的高度为

5.根据权利要求1所述的DRAM，其特征在于，所述突起结构与所述有源区由所述半导体衬底刻蚀形成。

6.根据权利要求5所述的DRAM，其特征在于，所述突起结构包括掺杂离子，所述掺杂离子选自P、B、As、C元素中的任一种的离子。

7.根据权利要求1-6任一项所述的DRAM，其特征在于，还包括：

位线接触部，形成在所述有源区上，且所述位线接触部的底面低于所述存储节点接触部的底面；

电容，位于所述着陆焊盘上并与所述着陆焊盘电连接。

8.一种DRAM的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供具有有源区的半导体衬底；

在所述有源区的部分区域形成突起结构；

对所述突起结构进行离子注入处理，以构成导电体；

在所述突起结构的上方形成与所述突起结构接触的存储节点接触部；

在存储节点接触部的上方形成着陆焊盘；

形成与所述着陆焊盘连接的电容。

9.根据权利要求8所述的DRAM的制造方法，其特征在于，形成突起结构的步骤包括：

图案化所述半导体衬底，确定突起结构的形成区域；

对半导体衬底上除突起结构形成区域外的其余区域进行刻蚀处理，以形成突起结构；

在所述突起结构离子注入完成后，对突起结构进行退火处理。