[发明专利]集成芯片及其形成方法在审
| 申请号： | 202110161788.4 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN113054095A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 马礼修 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 芯片 及其 形成 方法 | ||
1.一种集成芯片，包括：
磁隧道结(MTJ)器件，具有第一电极和第二电极；以及
访问选择器装置，用于所述磁隧道结器件，包括通过一个或者多个非金属层间隔开的第一金属结构和第二金属结构；
其中，所述第一金属结构和所述第二金属结构中的一者连接至所述第二电极，并且
所述第一金属结构包括极化铁磁层。
2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述第一金属结构是用于所述访问选择器装置的电极。
3.根据权利要求2所述的集成芯片，其中，所述访问选择器装置是双极选择器。
4.根据权利要求3所述的集成芯片，其中，所述一个或者多个非金属层包括具有不同带隙能量的两个绝缘体。
5.根据权利要求4所述的集成芯片，其中，所述具有不同带隙能量的两个绝缘体中的一者是所述极化铁磁层的金属的氧化物。
6.根据权利要求3所述的集成芯片，其中，所述磁隧道结器件和所述访问选择器装置通过材料层的堆叠件形成。
7.根据权利要求6所述的集成芯片，其中，所述一个或者多个非金属层中的一者是所述极化铁磁层的氧化物。
8.根据权利要求6所述的集成芯片，其中，所述极化铁磁层具有面内极化。
9.一种集成芯片，包括：
磁隧道结(MTJ)器件，设置在衬底上方的介电结构内，所述磁隧道结器件包括设置在第一磁隧道结电极和磁隧道结第二电极之间的磁隧道结；以及
双极选择器(BS)，包括设置在第一双极选择器电极和第二双极选择器电极之间的中间结构；
其中，所述第二双极选择器电极连接至所述第一磁隧道结电极或者与所述第一磁隧道结电极一体；
所述中间结构是绝缘体和/或半导体的一层或者多层；并且
所述第一双极选择器电极和所述第二双极选择器电极中的一者包括极化磁性层。
10.一种形成集成芯片的方法，包括：
在半导体衬底上方形成磁隧道结(MTJ)器件，所述磁隧道结器件具有设置在第一电极和第二电极之间的磁隧道结；以及
形成用于所述磁隧道结器件的双极选择器；
其中，所述双极选择器包括具有固定极化的铁磁材料层；并且
所述双极选择器连接至所述第二电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110161788.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其形成方法
- 下一篇：一种高强度陶瓷型材及其制备方法
