[发明专利]集成芯片及其形成方法

权利要求书

1.一种集成芯片，包括：

底部电极，设置在衬底上方；

顶部电极，设置在所述底部电极上方；

铁电切换层，布置在所述底部电极和所述顶部电极之间，其中，所述铁电切换层被配置为基于施加到所述底部电极或所述顶部电极的一个或多个电压改变极化；以及

晶种层，布置在所述底部电极和所述顶部电极之间，其中所述晶种层和所述铁电切换层包括非单斜晶相。

2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述铁电切换层包括具有单斜晶相的第一区域和具有非单斜晶相的第二区域。

3.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述非单斜晶相包括立方晶相、四方晶相或正交晶相。

4.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述晶种层包括氧化锆、氧化铪、氧化硅、氧化钽、氧化铝、氧化钛、氧化钇、氧化钆、氧化镧或氧化锶。

5.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述晶种层设置在所述铁电切换层和所述底部电极之间。

6.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述晶种层设置在所述铁电切换层和所述顶部电极之间。

7.根据权利要求1所述的集成芯片，还包括：

设置在所述底部电极和所述顶部电极之间的第二铁电切换层，其中，所述铁电切换层将所述晶种层与所述底部电极分隔开，且所述第二铁电切换层将所述晶种层与所述顶部电极分隔开。

8.根据权利要求1所述的集成芯片，还包括：

设置在所述铁电切换层和所述顶部电极之间的第二晶种层，其中，所述晶种层将所述铁电切换层与所述底部电极分隔开，且所述第二晶种层将所述铁电切换层与所述顶部电极分隔开。

9.一种集成芯片，包括：

底部电极，设置在衬底上方；

顶部电极，设置在所述底部电极上方；

晶种层，布置在所述底部电极和所述顶部电极之间，其中所述晶种层包括非单斜晶相；

铁电切换层，布置在所述底部电极和所述顶部电极之间，其中，所述铁电切换层包括具有单斜晶相的第一区域和具有非单斜晶相的第二区域。

10.一种形成集成芯片的方法，包括：

在衬底上方形成底部电极层；

在所述底部电极层上方形成晶种层；

在所述底部电极成上方形成接触所述晶种层的铁电切换层，其中，所述铁电切换层形成为具有第一区域和第二区域，所述第一区域具有第一晶相，所述第二区域具有不同的晶相；

在所述铁电切换层上方形成顶部电极层；以及

对所述底部电极层、所述晶种层、所述铁电切换层和所述顶部电极层执行一个或多个图案化工艺以形成铁电随机存取存储器(FeRAM)器件。