[发明专利]阵列基板和显示装置在审
申请号: | 202110162501.X | 申请日: | 2021-02-05 |
公开(公告)号: | CN112909065A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 袁粲;李永谦;袁志东;徐攀 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/64 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 230012 安徽省合肥市新*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括衬底基板和依次层叠设置于所述衬底基板上的扫描线、数据线、电源线、感测线、像素驱动电路和发光单元,所述像素驱动电路包括驱动晶体管和存储电容,所述存储电容包括第一电极和第二电极,所述驱动晶体管的第一级与所述电源线电连接,第二级与所述发光单元电连接,栅极与所述存储电容的第二电极电连接;其特征在于,所述阵列基板包括:
栅极层,设于所述衬底基板,所述扫描线、驱动晶体管的栅极设于所述栅极层;
第一导电层,设于所述栅极层背离所述衬底基板的一侧,所述存储电容的第一电极至少设于所述第一导电层;
第二导电层,设于所述第一导电层背离所述栅极层一侧,所述存储电容的第二电极至少设于所述第二导电层;
第三导电层,设于所述第二导电层背离所述第一导电层一侧,所述数据线、电源线、感测线设于所述第三导电层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括有源层,所述有源层设于所述衬底基板和所述栅极层之间;
所述存储电容的第一电极包括第一极板和第二极板,所述第一极板设于所述第一导电层,所述第二极板设于所述栅极层,所述第一极板和第二极板通过过孔电连接;所述第二极板还与所述驱动晶体管的栅极电连接;
所述存储电容的第二电极包括第三极板和第四极板,所述第三极板设于所述第二导电层,所述第四极板至少设于所述有源层背离所述栅极层的一侧,所述第三极板和第四极板通过过孔电连接;所述第三极板还与所述发光单元电连接;
其中,所述第一极板和第三极板在所述衬底基板的投影具有重叠,形成第一存储电容;所述第一极板和第四极板在所述衬底基板的投影具有重叠,形成第二存储电容;所述第二极板和第四极板在所述衬底基板的投影具有重叠,形成第三存储电容;
所述第一存储电容、第二存储电容和第三存储电容并联形成所述存储电容。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述驱动晶体管的栅极复用为所述第二极板。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括遮光层,所述遮光层位于所述有源层背离所述栅极层的一侧,且在所述衬底基板上的投影与所述驱动晶体管的栅极具有重叠。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述遮光层复用为所述第四极板。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
缓冲层,设于所述有源层和遮光层之间,所述缓冲层上设置有过孔;
第一层间介质层,设于所述有源层和第一导电层之间,所述第一层间介质层上设置有过孔;
第二层间介质层,设于所述第一导电层和第二导电层之间,所述第二层间介质层上设置有过孔;
所述第三极板和第四极板通过所述缓冲层、第一层间介质层和第二层间介质层上的过孔相连。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述缓冲层和第一层间介质层上的过孔采用半色调掩模版通过一步构图工艺形成。
8.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述扫描线包括第一扫描线;
所述阵列基板还包括第二晶体管,所述第二晶体管的栅极电连接所述第一扫描线,所述第二晶体管的第一级电连接所述数据线,所述第二晶体管的第二级电连接所述驱动晶体管的栅极。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述扫描线还包括第二扫描线;
所述阵列基板还包括第三晶体管,所述第三晶体管的栅极电连接所述第二扫描线,所述第三晶体管的第一级复用为所述驱动晶体管的第二级,所述第三晶体管的第二级电连接所述感测线。
10.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
感测连接部,所述感测连接部设于所述第二导电层,所述感测连接部与所述第三晶体管的第二级通过过孔电连接;
所述感测连接部还与所述感测线通过过孔电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的