[发明专利]标准单元版图模板以及半导体结构有效
申请号: | 202110163720.X | 申请日: | 2021-02-05 |
公开(公告)号: | CN112992892B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 汪配焕 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/088;H01L27/092;H01L27/108 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 标准 单元 版图 模板 以及 半导体 结构 | ||
1.一种标准单元版图模板,其特征在于,包括:
沿第一方向排布的第一阱区和第二阱区;
第一栅极图形,位于所述第一阱区且沿所述第一方向延伸,用于定义第一栅极;
第二栅极图形,位于所述第二阱区且沿所述第一方向延伸,用于定义第二栅极;
栅电连接图形,位于所述第一栅极图形与所述第二栅极图形之间,用于定义栅电连接结构,所述栅电连接结构与所述第一栅极以及所述第二栅极同层设置,以电连接所述第一栅极和/或所述第二栅极;
所述栅电连接图形包括:至少两条相间隔的电连接图形,且每条所述电连接图形均沿第二方向延伸,所述第二方向与所述第一方向不同,每一所述电连接图形用于定义一电连接结构。
2.如权利要求1所述的标准单元版图模板,其特征在于,至少两条相间隔的所述电连接图形包括:
第一电连接图形,位于所述第一阱区,用于定义第一电连接结构,以电连接所述第一栅极;
第二电连接图形,位于所述第二阱区,用于定义第二电连接结构,以电连接所述第二栅极。
3.如权利要求1所述的标准单元版图模板,其特征在于,所述栅电连接图形还包括:
第一辅助图形,连接所述第一栅极图形与朝向所述第一栅极图形的所述电连接图形,用于定义第一辅助电连接结构,以电连接所述第一栅极与朝向所述第一栅极的所述电连接结构;
第二辅助图形,连接所述第二栅极图形与朝向所述第二栅极图形的所述电连接图形,用于定义第二辅助电连接结构,以电连接所述第二栅极与朝向所述第二栅极的所述电连接结构。
4.如权利要求1所述的标准单元版图模板,其特征在于,所述栅电连接图形还包括:
第三辅助图形,位于相邻的所述电连接图形之间,用于定义第三辅助电连接结构,以电连接相邻的所述电连接结构。
5.如权利要求1所述的标准单元版图模板,其特征在于,所述栅电连接图形包括:一条电连接图形,且所述电连接图形沿第二方向延伸,所述第二方向与所述第一方向不同。
6.如权利要求5所述的标准单元版图模板,其特征在于,部分所述电连接图形位于所述第一阱区,剩余部分所述电连接图形位于所述第二阱区。
7.如权利要求1所述的标准单元版图模板,其特征在于,所述栅电连接图形还位于,所述第一栅极图形远离所述第二栅极图形的一侧,以及,位于所述第二栅极图形远离所述第一栅极图形的一侧。
8.如权利要求1所述的标准单元版图模板,其特征在于,还包括:
金属层图形,所述金属层图形横跨所述栅电连接图形、所述第一栅极图形和/或所述第二栅极图形,用于定义金属层,所述金属层位于所述第一栅极与所述第二栅极的上层,以电连接所述第一栅极和/或所述第二栅极。
9.如权利要求1所述的标准单元版图模板,其特征在于,所述第一阱区包括:第一MOS区,且所述第一栅极图形横跨所述第一MOS区;
所述第二阱区包括:第二MOS区,且所述第二栅极图形横跨所述第二MOS区;
所述标准单元版图模板还包括:中间区,所述中间区位于所述第一MOS区与所述第二MOS区之间,其中,所述栅电连接图形位于所述中间区。
10.如权利要求9所述的标准单元版图模板,其特征在于,所述第一阱区具有朝向所述第二阱区的第一边界,且所述第一边界位于所述中间区的正中间位置。
11.如权利要求1所述的标准单元版图模板,其特征在于,还包括:
第一电源图形,用于定义第一电源走线,所述第一电源走线用于连接第一电源;
第二电源图形,用于定义第二电源走线,所述第二电源走线用于连接第二电源,且所述第一电源的电压大于所述第二电源的电压;
其中,在沿所述第一方向上,所述第一电源图形的宽度大于所述第二电源图形的宽度。
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