[发明专利]显示基板及显示装置有效
申请号: | 202110163789.2 | 申请日: | 2021-02-05 |
公开(公告)号: | CN112993183B | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
发明(设计)人: | 王庆贺;成军;苏同上;刘宁;王海涛;黄勇潮;方金钢;倪柳松;闫梁臣 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32;G09F9/30 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 显示装置 | ||
1.一种显示基板,包括:衬底基板和位于所述衬底基板的一侧的辅助阴极结构;所述辅助阴极结构,包括:第一导电层、位于所述第一导电层的远离衬底基板的一侧的中间支撑层以及位于所述中间支撑层的远离所述第一导电层的一侧的第二导电层;其中,
所述中间支撑层的靠近所述第一导电层的一侧包括:至少一个第一凸起和至少一个第一凹槽中的任意一种或多种,所述第一导电层的靠近所述中间支撑层的一侧包括:对应设置的与所述至少一个第一凸起卡合的至少一个第二凹槽和与所述至少一个第一凹槽卡合的至少一个第二凸起中的任意一种或多种;
和/或,
所述中间支撑层的远离所述第一导电层的一侧包括:至少一个第三凸起和至少一个第三凹槽中的任意一种或多种,所述第二导电层的靠近所述中间支撑层的一侧包括:对应设置的与所述至少一个第三凸起卡合的至少一个第四凹槽和与所述至少一个第三凹槽卡合的至少一个第四凸起中的任意一种或多种;
所述第一导电层在所述衬底基板上的正投影的面积大于所述第二导电层在所述衬底基板上的正投影的面积,所述第二导电层在所述衬底基板上的正投影的面积大于所述中间支撑层在所述衬底基板上的正投影的面积。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一导电层的材料和所述第二导电层的材料包括:铟锌氧化物和铟锡氧化物中的任意一种或多种。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述中间支撑层的材料包括:钼/铝合金。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,在垂直于所述显示基板的平面,所述第一凹槽、所述第二凹槽、所述第三凹槽和所述第四凹槽中的至少一种的深度为1μm至10μm。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,还包括:发光器件层,其中,所述发光器件层位于所述衬底基板上的显示区,所述发光器件包括:依次叠设在所述衬底基板上的阳极、有机发光层和阴极,所述有机发光层和所述阴极延伸至所述显示区周边的非显示区;
所述辅助阴极结构位于所述非显示区中所述有机发光层的靠近所述衬底基板的一侧,且与所述阴极连接。
6.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,在所述非显示区中,所述有机发光层,包括:相互断开的第一发光层部分、第二发光层部分和第三发光层部分,所述第一发光层部分位于所述第一导电层的远离所述衬底基板的一侧,所述第二发光层部分位于所述第二导电层的远离所述衬底基板的一侧,所述第三发光层部分位于所述第一导电层的远离所述衬底基板的一侧;
所述第二导电层,被配置为隔断所述有机发光层。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,还包括:在所述非显示区中,所述阴极,包括:第一电极部分、第二电极部分和第三电极部分,所述第一电极部分位于所述第一发光层部分的远离所述衬底基板的一侧并与所述第一导电层连接,所述第二电极部分位于所述第二发光层部分的远离所述衬底基板的一侧,所述第三电极部分位于所述第三发光层部分的远离所述衬底基板的一侧并与所述第一导电层连接。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述第二电极部分在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极部分和所述第三电极部分在衬底基板上的正投影存在重叠区域。
9.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,
所述第二导电层的远离所述衬底基板的一侧包括:至少一个第五凸起和至少一个第五凹槽中的任意一种或多种,所述第二发光层部分的靠近所述衬底基板的一侧包括:对应设置的与所述至少一个第五凸起卡合的至少一个第六凹槽和与所述至少一个第五凹槽卡合的至少一个第六凸起中的任意一种或多种;
和/或,
所述第二发光层部分的远离所述衬底基板的一侧包括:至少一个第七凸起和至少一个第七凹槽中的任意一种或多种,所述第二电极部分的靠近所述衬底基板的一侧包括:对应设置的与所述至少一个第七凸起卡合的至少一个第八凹槽和与所述至少一个第七凹槽卡合的至少一个第八凸起中的任意一种或多种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110163789.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择