[发明专利]封装基板及具有其的半导体结构有效
申请号: | 202110164416.7 | 申请日: | 2021-02-05 |
公开(公告)号: | CN112951799B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 王海林 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 孙宝海;袁礼君 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 具有 半导体 结构 | ||
1.一种封装基板,其特征在于,包括:
本体,所述本体包括开口区域,所述本体包括底部表面和顶部表面,所述底部表面设置有底部导电材料层,所述顶部表面设置有顶部导电材料层,所述底部导电材料层的面积和顶部导电材料层的面积相接近;
导电层,所述导电层设置于所述开口区域,所述导电层包括第一导电桥和第二导电桥,所述第一导电桥和所述第二导电桥间隔设置;
导电凸点,所述导电凸点设置在所述本体上,且位于所述开口区域的外侧;其中,所述开口区域的上方和下方均具有所述导电凸点,所述开口区域的壁面位于所述导电凸点之间;
其中,所述第一导电桥上设置有第一通孔;
所述壁面包括相对的两个第一壁面和相对的两个第二壁面,所述第一壁面沿所述开口区域的宽度方向延伸,所述第二壁面沿所述开口区域的长度方向延伸;其中,最外侧的上下两个所述导电凸点的外边缘的连线围成限位区域,所述第一壁面位于所述限位区域内。
2.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述第一通孔为多个,多个所述第一通孔间隔地设置在所述第一导电桥上。
3.根据权利要求2所述的封装基板,其特征在于,多个所述第一通孔沿所述第一导电桥的长度方向间隔设置。
4.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述第一导电桥和所述第二导电桥之间形成间隙。
5.根据权利要求4所述的封装基板,其特征在于,所述间隙内填充有导热部。
6.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述第一通孔的孔壁包括弧面和平面中的至少之一。
7.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述第二导电桥上设置有第二通孔。
8.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述导电层还包括:
第三导电桥,所述第三导电桥与所述第一导电桥间隔设置,所述第三导电桥与所述第二导电桥间隔设置。
9.根据权利要求8所述的封装基板,其特征在于,所述第三导电桥上设置有第三通孔。
10.根据权利要求8所述的封装基板,其特征在于,所述第一导电桥、所述第二导电桥以及所述第三导电桥沿所述开口区域的长度方向间隔设置。
11.根据权利要求10所述的封装基板,其特征在于,所述第一导电桥与所述第二导电桥之间的间距等于所述第二导电桥与所述第三导电桥之间的间距。
12.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述第一导电桥为矩形结构。
13.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述第一导电桥包括:
第一桥接段,所述第一桥接段的两端均连接所述本体;
第二桥接段,所述第二桥接段的两端均连接所述本体,所述第一桥接段和所述第二桥接段间隔设置;
第三桥接段,所述第三桥接段的两端分别连接所述第一桥接段和所述第二桥接段;
其中,所述第一桥接段、所述第二桥接段以及所述第三桥接段中的至少之一上设置有所述第一通孔。
14.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述第一导电桥包括:
第一桥接段,所述第一桥接段的一端连接所述本体;
第二桥接段,所述第二桥接段的一端连接所述本体;
第三桥接段,所述第三桥接段的一端连接所述第一桥接段的另一端,所述第三桥接段的一端连接所述第二桥接段的另一端,所述第三桥接段的另一端连接所述本体;
其中,所述第一桥接段、所述第二桥接段以及所述第三桥接段中的至少之一上设置有所述第一通孔。
15.一种半导体结构,其特征在于,包括权利要求1至14中任一项所述的封装基板和芯片。
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