[发明专利]存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

衬底；

互连结构，设置在所述衬底上方，所述互连结构包括堆叠的互连金属层，所述堆叠的互连金属层设置在堆叠的层间介电(ILD)层内，所述堆叠的互连金属层包括下部互连金属层、中间互连金属层和上部互连金属层，一个设置在另一个上方；

存储器单元，设置在所述上部互连金属层与所述中间互连金属层之间；以及

选择晶体管，连接至所述存储器单元并设置在所述中间互连金属层与所述下部互连金属层之间。

2.根据权利要求1所述的存储器件，所述选择晶体管包括：

选择器沟道层；

第一选择器源极/漏极区域和第二选择器源极/漏极区域，设置在所述选择器沟道层上；以及

侧壁间隔件，设置在所述第一选择器源极/漏极区域与所述第二选择器源极/漏极区域之间并分离。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述选择晶体管包括选择器栅极电极和选择器栅极介电，所述选择器栅极介电设置在所述下部互连金属层与所述选择器沟道层之间。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述侧壁间隔件具有环形形状，并且围绕所述第二选择器源极/漏极区域。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第二选择器源极/漏极区域在顶部图中具有圆形或椭圆形形状。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第二选择器源极/漏极区域在顶部图中具有正方形或矩形形状，并且被所述第一选择器源极/漏极区域环绕。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第二选择器源极/漏极区域连接至所述中间互连金属层。

8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述选择器沟道层包括氧化物半导体材料。

9.一种存储器件，包括：

衬底；

互连结构，设置在所述衬底上方，所述互连结构包括多个互连金属层，一个堆叠在另一个上方，并且设置在层间介电(ILD)层中；

多个存储器单元，设置在所述互连结构内并且布置成行和列的阵列；以及

多个选择晶体管，相应地连接至所述多个存储器单元，其中，所述多个选择晶体管设置在所述互连结构的下部互连金属层与上部互连金属层之间的所述互连结构内。

10.一种制造存储器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成下部互连金属层，并被下部层间介电(ILD)层环绕；

在下部互连金属层上形成多个选择晶体管；

在所述多个选择晶体管上形成中间互连金属层；

在所述中间互连金属层上形成多个存储器单元；以及

在所述多个存储器单元上形成上部互连金属层。