[发明专利]HZO基铁电器件及其制作方法

权利要求书

1.一种HZO基铁电器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆具有相对的第一表面和第二表面；

在所述第一表面形成氧化层；

在所述氧化层背离所述半导体晶圆的一侧形成HZO层；

在所述HZO层背离所述氧化层的一侧表面形成第一TiN层；

在所述第一TiN层背离所述HZO层的一侧形成介质应力层；

基于所述介质应力层施加的应力，对所述HZO层进行退火处理；

完成退火处理后，去除所述介质应力层，在所述第一TiN层背离所述HZO层的一侧表面形成第一金属层；

图形化所述第一金属层以及所述第一TiN层，形成第一电极。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，图形化所述第一金属层以及所述第一TiN层，形成第一电极，包括：

形成具有预设图形的光刻胶层；

基于所述光刻胶层，对所述第一金属层和所述第一TiN层进行刻蚀，形成所述第一电极。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一TiN层背离所述HZO层的一侧形成介质应力层，包括：

在所述第一TiN层背离所述HZO层的一侧形成氧化硅层或是氮化硅层，作为所述介质应力层。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，去除所述介质应力层的方法包括：

通过氢氟酸去除所述介质应力层。

5.根据权利要求1所述制作方法，其特征在于，还包括：

在所述半导体晶圆背离所述氧化层的一侧表面形成第二金属层，所述第二金属层包括第二电极。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第二金属层为Al层。

7.根据权利要求1所述制作方法，其特征在于，在形成所述HZO层之前，还包括：

在所述氧化层背离所述半导体晶圆的一侧表面形成第三金属层，所述第三金属层包括第二电极；

其中，所述HZO层位于所述第二金属层背离所述氧化层的一侧表面；形成所述第一电极时，去除未被所述第一电极覆盖的所述HZO层，露出部分所述第二电极层。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述第二电极层包括：第二TiN层、W层、Pt层、Ir层、Ru层和Ge层中的任一种。

9.根据权利要求1-8任一项所述的制作方法，其特征在于，所述第一金属层为W层。

10.一种如权利要求1-9任一项所述制作方法制作的HZO基铁电器件，其特征在于，包括：

半导体晶圆，所述半导体晶圆具有相对的第一表面和第二表面；

位于所述第一表面的氧化层；

位于所述氧化层背离所述半导体晶圆一侧的图形化的HZO层；位于所述HZO层背离所述氧化层一侧表面的图形化的第一TiN层；位于所述第一TiN层背离所述HZO层一侧表面的图形化的第一金属层；

其中，所述氧化层与所述HZO层之间具有第二电极层，或所述第二表面具有第二金属层，所述第二金属层包括第二电极。