[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括衬底结构以及依次覆盖在所述衬底结构上的新型金属层、绝缘层和传统金属层，所述新型金属层的材料与所述传统金属层的材料不同，所述绝缘层上设有新型通孔，所述新型金属层和所述传统金属层通过所述新型通孔电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底结构包括鳍状平面图形，所述新型金属层包括多个相互独立的条形金属，多个所述条形金属与多个所述鳍状平面图形投影重叠且多个所述条形金属与所述鳍状平面图形相互垂直。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述传统金属层包括多个金属图案，多个所述金属图案由所述衬底结构的边缘向所述衬底结构的中心依次设置。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，每个所述金属图案包括至少一个开口，至少一个所述开口朝向所述衬底结构的边缘，多个所述金属图案朝向同一方向的所述开口共同构成了所述传统金属层的缺口。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述缺口包括至少一个，当所述缺口包括多个时，多个所述缺口分别朝向位于不同方向的所述衬底结构的边缘。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述传统金属层包括多个传统子金属层，相邻两个所述传统子金属层之间设有介质层，所述介质层上设有传统通孔，相邻两个所述传统子金属层通过所述传统通孔电连接。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述新型金属层的材料为碳纳米管。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述传统金属层的材料为铜、铝或铜铝合金。

9.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底结构上依次形成新型金属层和绝缘层，并在所述绝缘层上形成新型通孔；

在形成有所述新型通孔的所述绝缘层上形成传统金属层，其中，所述传统金属层与所述新型金属层材料不同，所述新型金属层和所述传统金属层通过所述新型通孔电连接。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在形成有所述新型通孔的所述绝缘层上形成传统金属层包括：

在形成有所述新型通孔的所述绝缘层上形成多个金属图案并使每个所述金属图案具有朝向所述衬底结构边缘的开口，其中，多个所述金属图案由所述衬底结构的边缘向所述衬底结构的中心依次设置。