[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

说明书

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。使用单一的冷机将分别设于多个处理模块的多个温度控制对象部独立地调整为期望的温度。一种基板处理装置，其为处理基板的装置，其中，该基板处理装置具有：多个腔室，其收纳所述基板；多个温度控制对象部，其分别设于所述多个腔室；单一的冷机，其设为共用于所述多个温度控制对象部，供给第1调温介质和第2调温介质；多个流量调整部，其分别与所述多个温度控制对象部连接，且与所述冷机连接，构成为能够调整所述第1调温介质与所述第2调温介质的流量比；以及控制部，其通过控制所述流量调整部而对每个所述温度控制对象部独立地调整温度。

技术领域

本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。

背景技术

专利文献1中公开有一种真空处理装置，该真空处理装置具有：多个处理单元；以及冷机，该冷机与在这些处理单元内的各个试样台内配置的制冷剂流路连结而供给调节成了期望的温度的制冷剂并使其循环。该真空处理装置包括一个循环路径和另一路径。一个循环路径为如下这样的循环的路径：制冷剂自冷机喷出后分支并向多个试样台的制冷剂流路供给，分别自这些试样台的制冷剂流路流出并合流之后，返回冷机。另一循环路径为如下这样的循环的路径：制冷剂自冷机喷出，绕过分支部、多个试样台以及合流部而返回冷机。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016－162794号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开所涉及的技术使用单一的冷机而将分别设于多个处理模块的多个温度控制对象部独立地调整为期望的温度。

用于解决问题的方案

本公开的一技术方案为一种基板处理装置，其为处理基板的装置，其中，该基板处理装置具有：多个腔室，其收纳所述基板；多个温度控制对象部，其分别设于所述多个腔室；单一的冷机，其设为共用于所述多个温度控制对象部，供给第1调温介质和第2调温介质；多个流量调整部，其分别与所述多个温度控制对象部连接，且与所述冷机连接，构成为能够调整所述第1调温介质与所述第2调温介质的流量比；以及控制部，其通过控制所述流量调整部而对每个所述温度控制对象部独立地调整温度。

发明的效果

根据本公开，能够使用单一的冷机将分别设于多个处理模块的多个温度控制对象部独立地调整为期望的温度。

附图说明

图1是表示本实施方式所涉及的晶圆处理装置的结构的概略的俯视图。

图2是表示处理模块的结构的概略的纵剖视图。

图3是表示冷却模块的结构的概略的侧视图。

图4是表示冷却模块的结构的概略的俯视图。

图5是表示每个处理模块的腔室的温度切换时刻的说明图。

具体实施方式

在半导体装置的制造工艺中，通过激励处理气体，从而生成等离子体，利用该等离子体处理半导体晶圆(以下称作“晶圆”)。具体而言，在将晶圆保持于设于腔室的内部的载置台的状态下进行等离子体处理。

在进行等离子体处理时，需要根据蚀刻处理、成膜处理、扩散处理等目的的工艺来调整晶圆的温度。于是，例如自冷机向载置台供给冷却介质，调整该载置台的温度。