[发明专利]一种微波通信用高导热系数低介电损耗聚合物基纳米复合材料的制备方法

权利要求书

1.一种微波通信用高导热系数低介电损耗聚合物基纳米复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：充分烘干后的不相容聚合物体系A/B中的热塑性树脂A与导电纳米填料熔融混合，熔融混合的工艺参数为转速40~80转/分，温度180~210 ℃，熔融混合10~20分钟，得到母料Ⅰ；

S2：充分烘干后的不相容聚合物体系A/B中的热塑性树脂B与绝缘纳米陶瓷填料熔融混合，熔融混合的工艺参数为转速40~80转/分，温度180~210 ℃，熔融混合10~20分钟，得到母料Ⅱ；

S3：将S1及S2中获得的母料Ⅰ和母料Ⅱ熔融混合，使其在基体两相聚合物的界面处形成三维导热网络，熔融混合的工艺参数为转速40~80转/分，温度180~210 ℃，熔融混合2~5分钟，得到高导热系数低介电损耗聚合物基纳米复合材料。

2.如权利要求1所述的高导热系数低介电损耗聚合物基纳米复合材料的制备方法，其特征在于，步骤S1和S2所述的不相容聚合物体系A/B为PMMA / PS体系，PVDF / PS体系或PVDF / PA6体系中的一种。

3.如权利要求1所述的高导热系数低介电损耗聚合物基纳米复合材料的制备方法，其特征在于，步骤S2所述的导电纳米填料为长径比500的碳纳米管、石墨烯、碳纳米纤维、银纳米线中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的高导热系数低介电损耗聚合物基纳米复合材料的制备方法，其特征在于，步骤S3所述的绝缘纳米陶瓷填料为纳米碳化硅、纳米氮化硼、纳米氧化铝、纳米氮化铝、纳米碳化钛中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的高导热系数低介电损耗聚合物基纳米复合材料的制备方法，其特征在于，步骤S1，S2中所述的热塑性树脂A和热塑性树脂B在进行熔融混合前，需充分烘干。

6.如权利要求1所述的高导热系数低介电损耗聚合物基纳米复合材料的制备方法，其特征在于，步骤S1的母料Ⅰ中，导电纳米填料所占体积分数为1~2 vol%；步骤S2的母料Ⅱ中，绝缘导热陶瓷填料所占体积分数为1~6 vol%；步骤S3中，母料Ⅰ与母料Ⅱ的体积比为40 /60 ~ 60 /40。

7.如权利要求1所述的高导热系数低介电损耗聚合物基纳米复合材料的制备方法，其特征在于，步骤S1和S2熔融混合前，导电纳米填料、绝缘纳米陶瓷填料与聚合物A和B需进行充分研磨预混。

8.一种如权利要求1~7任一所述方法制备的基于不相容聚合物体系高导热系数低介电损耗纳米复合材料，其特征在于其导热系数大于0.8，X波段下介电损耗小于0.32。