[发明专利]一种三色探测器及其制作方法有效
| 申请号： | 202110168698.8 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN112928178B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 黄珊珊;黄辉廉;刘恒昌;高熙隆;杨文奕 | 申请（专利权）人： | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/103;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 伍传松 |
| 地址： | 528437 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三色 探测器 及其 制作方法 | ||
1.一种三色探测器，其特征在于，包括依次层叠设置的：
GaN衬底；
AlGaN子探测器，所述AlGaN子探测器与所述GaN衬底之间设置有第一缓冲层；
InGaAs子探测器，与所述AlGaN子探测器之间通过键合层连接；
InGaNAs子探测器，与所述InGaAs子探测器之间设置有隧穿结，所述InGaNAs子探测器上设置有第二缓冲层。
2.根据权利要求1所述的三色探测器，其特征在于：所述InGaAs子探测器采用In0.53Ga0.47As材料。
3.根据权利要求1所述的三色探测器，其特征在于：所述AlGaN子探测器、InGaAs子探测器、InGaNAs子探测器皆包括n型掺杂层、i型吸收层、p型掺杂层。
4.根据权利要求1所述的三色探测器，其特征在于：所述键合层由设置在AlGaN子探测器上表面的第一键合层与设置在InGaAs子探测器下表面的第二键合层键合而成。
5.一种三色探测器制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S100、在GaN衬底上依次正装生长的第一缓冲层、AlGaN子探测器、第一键合层；
S200、在InP衬底依次倒装生长的第二缓冲层、InGaNAs 子探测器、隧穿结、InGaAs子探测器、第二键合层；
S300、将所述第一键合层与第二键合层键合；
S400、移除所述InP衬底。
6.根据权利要求5所述的三色探测器制作方法，其特征在于：所述InGaAs子探测器采用In0.53Ga0.47As材料。
7.根据权利要求5所述的三色探测器制作方法，其特征在于：所述AlGaN子探测器、InGaAs子探测器、InGaNAs子探测器皆包括n型掺杂层、i型吸收层、p型掺杂层。
8.根据权利要求5所述的三色探测器制作方法，其特征在于，所述第一缓冲层、AlGaN子探测器、第一键合层、第二缓冲层、InGaNAs 子探测器、隧穿结、InGaAs子探测器、第二键合层的外延过程为晶格匹配生长。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
