[发明专利]一种铸造单晶硅片的分类方法

权利要求书

1.一种铸造单晶硅片的分类方法，其特征在于：它包括如下步骤

A腐蚀，将铸造单晶硅片浸泡在腐蚀液中进行腐蚀；

B酸洗，将经步骤A腐蚀处理的铸造单晶硅片进行酸洗；

C水洗，将经步骤B酸洗处理的铸造单晶硅片进行水洗；

D烘干，将经步骤C水洗处理的铸造单晶硅片进行烘干；

E分类，将经步骤D烘干处理的铸造单晶硅片根据外观形态进行分类。

2.根据权利要求1所述的铸造单晶硅片的分类方法，其特征在于：所述步骤A腐蚀的具体方法为，将铸造单晶硅片浸泡在酸性腐蚀液中进行腐蚀；所述腐蚀温度为5-10℃，腐蚀时间为5-60秒。

3.根据权利要求2所述的铸造单晶硅片的分类方法，其特征在于：所述腐蚀液为氢氟酸、硝酸与水的混合溶液或氢氟酸、硝酸与醋酸的混合溶液。

4.根据权利要求3所述的铸造单晶硅片的分类方法，其特征在于：所述氢氟酸、硝酸与水的混合溶液体积配比为V_HF:V_HNO3:V_H2O＝(1-1.5):(2-5):(2.5-4.0)；所述氢氟酸、硝酸与醋酸的混合溶液体积配比为V_HF:V_HNO3:V_CH3COOH＝(1-2):(2-5):(1-2.5)；所述氢氟酸的含量为≥40％，所述硝酸的含量为≥45％，所述醋酸的含量为≥36％。

5.根据权利要求1所述的铸造单晶硅片的分类方法，其特征在于：所述步骤B酸洗的具体方法为，将铸造单晶硅片浸泡在酸洗溶液中，去除表面的氧化层；所述酸洗温度为15-25℃，酸洗时间为180-300秒。

6.根据权利要求5所述的铸造单晶硅片的分类方法，其特征在于：所述酸洗溶液为氢氟酸与水的混合溶液；所述氢氟酸的质量百分含量为2％-5％。

7.根据权利要求1所述的铸造单晶硅片的分类方法，其特征在于：所述步骤C水洗处理的具体方法为，将铸造单晶硅片浸泡在水中进行循环鼓泡水洗，水洗时间为2-5分钟。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的铸造单晶硅片的分类方法，其特征在于：所述步骤E分类处理的具体方法为，采用硅片分选机对铸造单晶硅片进行分类；所述硅片分选机为具有检测硅片表面缺陷测试模块的全自动分选设备，其能将在铸造单晶硅片表面缺陷处收集到的散射光转变为电信号从而得到被检测铸造单晶硅片的表面缺陷面积，然后根据预设的品质等级进行分选；所述的品质等级以表面缺陷面积比例为标准进行划分。

9.根据权利要求8所述的铸造单晶硅片的分类方法，其特征在于：所述品质等级分为A类、B类和C类；其中A类表面缺陷面积比例为0-10％，B类表面缺陷面积比例为10-30％，C类表面缺陷面积比例为30-100％。