[发明专利]发光裸片、发射模组、感测装置和电子设备

权利要求书

1.一种发光裸片，其特征在于，包括：

第一开关，连接在第一供电电源与第一节点之间；

感测光源，用于发射感测光脉冲，所述感测光脉冲用于照射到外部对象以感测相关信息；

单光子雪崩二极管，与所述感测光源串联连接在所述第一节点与地之间；和

储能电容，连接在所述第一节点与地之间；

其中，所述储能电容用于通过导通的所述第一开关接收来自所述第一供电电源的电压，用于储存电能且将所述单光子雪崩二极管的反向电压预先偏置到预设雪崩电压，所述储能电容进一步用于在所述单光子雪崩二极管发生雪崩时对所述感测光源放电，触发所述感测光源发射所述感测光脉冲。

2.如权利要求1所述的发光裸片，其特征在于，所述预设雪崩电压大于或等于所述单光子雪崩二极管的临界雪崩电压，所述临界雪崩电压为所述单光子雪崩二极管能够发生雪崩的最小反向电压值。

3.如权利要求2所述的发光裸片，其特征在于，所述预设雪崩电压大于所述临界雪崩电压，且二者的压差范围为5伏至10伏。

4.如权利要求2所述的发光裸片，其特征在于，所述第一开关在所述单光子雪崩二极管发生雪崩期间处于断开状态。

5.如权利要求2所述的发光裸片，其特征在于，所述第一开关的导通与否由一控制单元进行控制，所述控制单元集成在所述发光裸片中或设置在所述发光裸片外部。

6.如权利要求5所述的发光裸片，其特征在于，所述单光子雪崩二极管用于接收来自激发电路的激发光束，所述激发光束用于触发所述单光子雪崩二极管发生雪崩，所述激发电路的部分或全部集成在所述发光裸片中，或者，所述激发电路设置在所述发光裸片的外部。

7.如权利要求6所述的发光裸片，其特征在于，所述激发光束通过导光元件从所述激发电路传导到所述单光子雪崩二极管上。

8.如权利要求6所述的发光裸片，其特征在于，所述激发电路包括激发光源和第二开关，所述激发光源和所述第二开关串联连接，所述激发光源用于在所述第二开关导通时发射所述激发光束。

9.如权利要求8所述的发光裸片，其特征在于，所述激发光源和所述第二开关串联连接在第二供电电源与地之间，当所述第二开关导通时，所述激发光源用于接收来自所述第二供电电源的电能而发射所述激发光束；或者，所述激发光源和所述第二开关串联连接在第二节点与地之间，所述第二节点进一步与所述第一供电电源和所述第一开关分别连接，当所述第二开关导通时，所述激发光源用于接收来自所述第一供电电源的电能而发射所述激发光束。

10.如权利要求8所述的发光裸片，其特征在于，所述控制单元用于控制所述第二开关的导通与否。

11.如权利要求10所述的发光裸片，其特征在于，当需要所述感测光源发射所述感测光脉冲时，所述控制单元先控制所述第一开关闭合，所述储能电容通过闭合的所述第一开关接收来自所述第一供电电源的电压进行预充电，当所述储能电容充完电后，所述控制单元控制所述第一开关断开，所述控制单元进一步控制所述第二开关闭合，所述激发电路发射所述激发光束，以触发所述单光子雪崩二极管发生雪崩，所述感测光源在所述单光子雪崩二极管发生雪崩时发射所述感测光脉冲。

12.如权利要求10所述的发光裸片，其特征在于，所述第一供电电源用于在4纳秒内把单光子雪崩二极管的反向电压从临界雪崩电压以下提升到预设雪崩电压，然后，所述控制单元控制所述第二开关在1纳秒内闭合，使所述激发电路触发单光子雪崩二极管雪崩。