[发明专利]晶片转移装置和晶片转移方法

权利要求书

1.一种晶片转移装置，其特征在于，包括：吸附机构、驱动机构、第一载台、以及第二载台；

所述第一载台和所述第二载台间隔开设置；

所述吸附机构包括操作头主体，所述操作头主体为内部中空的主体腔体，所述操作头主体的外壁上设置有凸出所述操作头主体外壁的操作工作面，所述操作工作面上设置有与所述主体腔体相连通的至少一个气口，以用于吸附晶片；

所述驱动机构用于驱动所述吸附机构在所述第一载台和所述第二载台之间运行。

2.根据权利要求1所述的晶片转移装置，其特征在于，所述吸附机构还包括：操作头基座和密封盖板，其中，

所述操作头基座固定在所述操作主体上与所述操作工作面的位置相对一侧，所述操作头基座内设置有与所述主体腔体相连通的基座腔体；所述基座腔体上设置有腔体开口；

所述密封盖板可拆卸密封固定在所述腔体开口上；所述密封盖板上设置有贯穿所述密封盖板、且与所述基座腔体相连通的至少一个盖板通孔。

3.根据权利要求2所述的晶片转移装置，其特征在于，所述操作头主体外壁上设置有凸台，所述操作工作面位于所述凸台上的一个面上。

4.根据权利要求2所述的晶片转移装置，其特征在于，所述气口包括多个气孔开口，所述操作头主体外壁内部设置与所述气孔开口数量对应的气孔通道；每个所述气孔通道一端与一个所述气孔开口相连通，另一端与所述主体腔体相连通。

5.根据权利要求1所述的晶片转移装置，其特征在于，至少一个所述气口为条形开口；所述操作头主体外壁内部设置与所述条形开口数量对应的条形通槽；每个所述条形通槽的一端与一个所述条形开口相连通，另一端与所述主体腔体相连通。

6.根据权利要求2至5任一项所述的晶片转移装置，其特征在于，所述操作头基座与所述操作头主体一体成型。

7.根据权利要求1所述的晶片转移装置，其特征在于，所述晶片转移装置包括激光发生器，所述激光发生器设置在所述吸附机构的下方以用于照射所述第一载台上的晶片。

8.根据权利要求7所述的晶片转移装置，其特征在于，所述激光发生器包括紫外线激光发生器。

9.一种晶片转移方法，其特征在于，包括以下步骤：

控制吸附装置从第一载台上吸附第一批晶片，所述第一批晶片包括至少一个晶片；

控制所述吸附装置在第二载台上布置所述第一批晶片；

控制所述吸附装置从所述第一载台上吸附第二批晶片，所述第二批晶片包括至少一个晶片；

按预设排布规则相对所述第一批晶片在所述第二载台上布置所述第二批晶片。

10.根据权利要求9所述的晶片转移方法，其特征在于，所述控制吸附装置从第一载台上吸附第一批晶片的步骤之前还包括：

控制所述激光发生器发射的激光照射到所述第一载台上的所述第一批晶片。