[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

沟道构件，包括第一连接部分、第二连接部分和布置在所述第一连接部分与所述第二连接部分之间的沟道部分；

第一内部间隔部件，布置在所述第一连接部分上方并且与所述第一连接部分接触；

第二内部间隔部件，布置在所述第一连接部分下方并且与所述第一连接部分接触；以及

栅极结构，包裹所述沟道构件的所述沟道部分，

其中，所述沟道构件还包括第一脊，所述第一脊位于所述沟道构件的顶面上并且布置在所述沟道部分与所述第一连接部分之间的界面处，

其中，所述第一脊部分地在所述第一内部间隔部件与所述栅极结构之间延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述沟道构件还包括第二脊，所述第二脊位于所述沟道构件的底面上并且布置在所述沟道部分与所述第一连接部分之间的所述界面处，

其中，所述第二脊部分地在所述第二内部间隔部件与所述栅极结构之间延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一内部间隔部件包括外层和内层，

其中，所述外层的介电常数大于所述内层的介电常数。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中，所述内层通过所述外层与所述沟道构件间隔开，

其中，所述内层与所述栅极结构接触。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述外层的密度大于所述内层的密度。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中，所述外层包括碳氮化硅或碳氧氮化硅，

其中，所述内层包括碳氧化硅、多孔碳氧化硅或掺氟氧化硅。

7.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中，所述外层和所述内层包括硅、碳、氧和氮，

其中，所述外层的氧含量小于所述内层的氧含量，

其中，所述外层的氮含量大于所述内层的氮含量。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，

其中，所述外层的所述氧含量在约5％与约15％之间，

其中，所述内层的所述氧含量在约40％与约60％之间，

其中，所述外层的所述氮含量在约40％与约60％之间，

其中，所述内层的所述氮含量在约10％与约20％之间。

9.一种半导体器件，包括：

沟道部件，所述沟道部件包括第一连接部分、第二连接部分和沟道部分，所述沟道部分沿着第一方向布置在所述第一连接部分与所述第二连接部分之间；

第一源极/漏极部件，与所述第一连接部分接触；

第二源极/漏极部件，与所述第二连接部分接触；

第一内部间隔部件，沿着垂直于所述第一方向的第二方向布置在所述第一连接部分上方；

第二内部间隔部件，沿着所述第二方向布置在所述第一连接部分下方；以及

栅极结构，包裹所述沟道构件的所述沟道部分，

其中，所述第一内部间隔部件包括外层和内层，

其中，所述内层通过所述外层与所述沟道构件间隔开，

其中，所述内层与所述栅极结构接触。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

接收工件，所述工件包括：

衬底，以及

堆叠件，在所述衬底上方，所述堆叠件包括由多个牺牲层交错的多个沟道层；

使所述堆叠件和所述衬底图案化以形成鳍状结构；

在暴露所述鳍状结构的源极/漏极区的同时在所述鳍状结构的沟道区上方形成伪栅极堆叠件；

使所述源极/漏极区凹进以形成源极/漏极沟槽并且暴露所述多个沟道层和所述多个牺牲层的侧壁；

选择性地并且部分地蚀刻所述多个牺牲层以形成内部间隔凹槽；

在所述内部间隔凹槽中沉积第一内间隔材料层；

在所述第一内间隔材料层上方沉积第二内间隔材料层；

回蚀刻所述第一内间隔材料层和所述第二内间隔材料层以在所述内部间隔凹槽中形成内部间隔部件，其中，所述内部间隔部件中的每一个都包括由所述第一内间隔材料层形成的外层和由所述第二内间隔材料层形成的内层；

去除所述伪栅极堆叠件以暴露所述沟道区中的所述多个沟道层和所述多个牺牲层的所述侧壁；

选择性地蚀刻所述多个牺牲层以释放所述沟道区中的所述多个沟道层；以及

形成栅极结构以包裹所述沟道层中的每一个，

其中，所述选择性地蚀刻包括蚀刻所述外层，并且所述栅极结构与所述内层接触。