[发明专利]电子装置壳体及其制作方法

权利要求书

1.一种电子装置壳体，其特征在于，包括：基体、第一金属层及第二金属层，所述基体不具有可激光活化物，所述基体表面通过激光镭雕的方式形成有蚀刻有电路图案的粗糙结构；所述第一金属层形成在所述粗糙结构表面；所述第二金属层为天线层，所述第二金属层形成在所述第一金属层表面。

2.根据权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于，所述粗糙结构包括形成在所述基体表面且间隔排布的多个弹坑。

3.根据权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于，所述基体的材质为热塑性塑料或热固性塑料。

4.根据权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于，所述第一金属层为在粗糙结构表面通过化学活化后形成的含钯的金属吸附层。

5.根据权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于，所述第二金属层为铜层或依次形成于所述第一金属层表面的铜层和镍层的复合层或依次形成于所述第一金属层表面的铜层、镍层及金层的复合层。

6.根据权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于，所述基体为陶瓷材料、或玻璃材料、或包含玻璃纤维的复合材料。

7.一种电子装置壳体的制作方法，其特征在于,包括以下步骤：

提供基体,所述基体不具有可激光活化物；

采用激光镭雕的方式在所述基体表面形成蚀刻有电路图案的粗糙结构；

对镭雕后的所述基体的粗糙结构进行化学活化，以在所述粗糙结构表面形成第一金属层；及

在所述第一金属层表面沉积第二金属层,以制得天线层。

8.根据权利要求7所述的电子装置壳体的制作方法，其特征在于,在执行对镭雕后的所述基体的粗糙结构进行化学活化的步骤之前，所述电子装置壳体的制作方法还包括：

对镭雕后的所述基体进行水洗，以去除所述基体表面的污渍。

9.根据权利要求7所述的电子装置壳体的制作方法，其特征在于,在执行对镭雕后的所述基体的粗糙结构进行化学活化的步骤之前，所述电子装置壳体的制作方法还包括：

对镭雕后的所述基体进行化学敏化，以在所述粗糙结构表面形成吸附膜层。

10.根据权利要求7所述的电子装置壳体的制作方法，其特征在于,所述第二金属层通过电镀或化学镀的方式形成。