[发明专利]一种发光二极管及制作工艺、发光装置

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：发光外延叠层，包含第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；

透光性介电层，位于所述发光外延叠层一表面侧，并具有多处的第一开口暴露部分发光外延叠层的所述一表面；

粘附层，位于透光性介电层的远离发光外延叠层的一侧；

金属层，位于粘附层的远离透光性介电层的一表面侧；

其特征在于：所述的粘附层具有多个第二开口，每一所述第一开口与每一所述第二开口位置对应；所述金属层延伸通过粘附层的第二开口、透光性介电层与发光外延叠层的所述一表面接触；所述的金属层与透光性介电层之间仅有一层粘附层，所述的金属层同时位于所述透光性介电层的远离发光外延叠层的一侧，所述粘附层为IZO或者ITO，所述的粘附层的厚度至少0.1nm至多10nm。

2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述透光性介电层的厚度为50nm以上。

3.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述粘附层为透明的粘附层。

4.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述透光性介电层为氟化镁层。

5.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的透光性介电层的第一开口的侧壁为倾斜，透光性介电层具有相对的远离发光外延叠层的一面侧和面对发光外延叠层的一面侧，其中所述透光性介电层的第一开口的侧壁的倾斜角度相对于所述透光性介电层的远离发光外延叠层的一面侧大于90°。

6.根据权利要求5所述的一种发光二极管，其特征在于：所述透光性介电层的第一开口的侧壁的倾斜角度相对于所述透光性介电层的远离发光外延叠层的一面侧为110～170°。

7.根据权利要求1或6所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的粘附层覆盖透光性介电层的第一开口部分侧壁或全部侧壁。

8.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的透光性介电层的第一开口具有倾斜侧壁，倾斜侧壁的水平宽度为至少1nm。

9.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的透光性介电层的第一开口具有倾斜侧壁，倾斜侧壁的水平宽度为至少20nm。

10.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：在所述第一开口内，金属层在发光外延叠层的第一类型半导体层或第二类型半导体层的表面上具有欧姆接触材料。

11.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的金属层与粘附层接触的材料具有金属反射材料。

12.根据权利要求10所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的欧姆接触材料为金锌、金锗镍、金铍、金镍。

13.根据权利要求11所述的一种发光二极管，其特征在于：所述金属反射材料具有金。

14.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的发光二极管的发光波长为红光或红外。

15.一种照明装置，其包括：权利要求1-14任一项所述的发光二极管。