[发明专利]一种基于衬底上生长的三角形二硫化钼的识别方法有效
申请号: | 202110172208.1 | 申请日: | 2021-02-08 |
公开(公告)号: | CN112906540B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 张晋辉;张铮;高丽;黄国倡;周湛轩;张世强;陈章毅 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | G06V20/69 | 分类号: | G06V20/69;G06V10/20;G06V10/82;G06V10/46;G06N3/04 |
代理公司: | 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 | 代理人: | 王颖 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 衬底 生长 三角形 二硫化钼 识别 方法 | ||
1.一种基于衬底上生长的三角形二硫化钼的识别方法,其特征在于,具体包括以下步骤:
S1、对衬底进行快速成像,得到完整清晰的衬底图像;
S2、对所述衬底图像进行筛选识别;
所述步骤S2具体为:
S21、基于Faster R-CNN深度神经网络算法,对所述衬底图像进行筛选识别,得到满足筛选条件的所有具有优质三角形结构的单层二硫化钼的坐标集合;
S22、取所述所有单层二硫化钼的三角形结构的中心位置作为坐标点,并以该坐标点进行标记;
S3、对所述筛选识别的结果进行拟合和分析;
所述步骤S3具体为:
S31、将所述坐标点导入matlab软件中进行坐标转化;
S32、将所述完整衬底转化为二维坐标平面,并将所述二维坐标平面划分为A*A个基元,其中A为任意正整数;
S33、统计每个基元的坐标点个数,得到具有优质三角形结构的单层二硫化钼的密度分布函数;
S34、将所述密度分布函数导入所述matlab软件中,并通过三次样条插值进行数学函数拟合,得到优质单层二硫化钼的密度分布函数关于二维空间横纵坐标的函数关系式;
S35、画出所述函数关系式的三维曲面图像,并对所述三维曲面图像中分布在衬底上的优质单层二硫化钼进行数据分析。
2.根据权利要求1所述的基于衬底上生长的三角形二硫化钼的识别方法,其特征在于,所述步骤S1具体为:
S11、对光学显微镜下的衬底进行图像采集,得到一系列局部视场下的衬底图像;
S12、对所述局部视场下的衬底图像采用全局图片自动拼接算法,得到完整清晰的全局衬底图像。
3.根据权利要求2所述的基于衬底上生长的三角形二硫化钼的识别方法,其特征在于,所述光学显微镜的放大倍数为500倍。
4.根据权利要求2所述的基于衬底上生长的三角形二硫化钼的识别方法,其特征在于,所述图像采集具体为:
将所述光学显微镜固定在电动载物平台的上方,设置所述光学显微镜的光轴与载物台表面垂直,载物平台在二维平面内移动,所述载物平台的水平垂直方向平动产生图像平移变换,得到一系列局部视场下的衬底图像;同时,相邻的图像取一部分重叠进行拍摄,合并时去掉重叠。
5.根据权利要求1所述的基于衬底上生长的三角形二硫化钼的识别方法,其特征在于,所述筛选条件为所述单层二硫化钼结构是否为三角形、所述三角形的边长是否相等、所述三角形的边长长度是否在30微米左右;若均满足以上条件,则筛选出具有优质三角形结构的单层二硫化钼;所述优质三角形结构为边长接近30微米的正三角形。
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