[发明专利]板上芯片型光电器件在审
申请号: | 202110172249.0 | 申请日: | 2021-02-08 |
公开(公告)号: | CN112909148A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 黄德冰;沈志坤;李逸群;王刚;袁湘龙 | 申请(专利权)人: | 开发晶照明(厦门)有限公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L33/44;H01L33/52;H01L25/075 |
代理公司: | 深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393 | 代理人: | 夏声平 |
地址: | 361101 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔星*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 光电 器件 | ||
1.一种板上芯片型光电器件,其特征在于,包括:
金属基板,包括:光电元件固定区域;
围坝,设置在所述金属基板上,并环绕所述光电元件固定区域;
多个第一光电元件,设置在所述金属基板上,且位于所述光电元件固定区域内;
KSF荧光层,设置在所述多个第一光电元件上,且不与所述金属基板接触,其中所述KSF荧光层包括KSF荧光粉;以及
隔离层,设置在所述围坝内,且覆盖所述KSF荧光层。
2.根据权利要求1所述的板上芯片型光电器件,其特征在于,所述KSF荧光层包括:与所述多个第一光电元件一一对应的多个KSF荧光结构,每个所述KSF荧光结构覆盖对应的所述第一光电元件远离所述金属基板的上表面,其中每个所述KSF荧光结构包括所述KSF荧光粉。
3.根据权利要求2所述的板上芯片型光电器件,其特征在于,所述KSF荧光结构在垂直于所述金属基板的方向上的截面为矩形或者圆弧形。
4.根据权利要求1所述的板上芯片型光电器件,其特征在于,所述KSF荧光层包括:与所述多个第一光电元件一一对应的多个KSF荧光结构,每个所述KSF荧光结构覆盖对应的所述第一光电元件远离所述金属基板的上表面,并从所述上表面向所述第一光电元件的侧表面延伸以覆盖所述第一光电元件的侧表面;
其中,所述隔离层还填充在每个所述KSF荧光结构与所述金属基板之间。
5.根据权利要求1所述的板上芯片型光电器件,其特征在于,所述隔离层,包括:
第一隔离层,设置在所述金属基板上,且在垂直于所述金属基板的方向上,所述第一隔离层的高度不高于所述第一光电元件的高度;以及
第二隔离层,设置在所述KSF荧光层上。
6.根据权利要求5所述的板上芯片型光电器件,其特征在于,所述KSF荧光层包括:与所述多个第一光电元件一一对应的多个KSF荧光结构,每个所述KSF荧光结构覆盖对应的所述第一光电元件远离所述金属基板的上表面,其中每个所述KSF荧光结构包括所述KSF荧光粉;
其中,所述第二隔离层设置在所述第一隔离层和所述多个KSF荧光结构上。
7.根据权利要求5所述的板上芯片型光电器件,其特征在于,所述KSF荧光层包括:与所述多个第一光电元件一一对应的多个KSF荧光结构,每个所述KSF荧光结构覆盖对应的所述第一光电元件远离所述金属基板的上表面,并从所述上表面向所述第一光电元件的侧表面延伸以覆盖所述第一光电元件的侧表面,其中每个所述KSF荧光结构包括所述KSF荧光粉;
其中,所述第二隔离层设置在所述第一隔离层和所述多个KSF荧光结构上。
8.根据权利要求5所述的板上芯片型光电器件,其特征在于,所述第一隔离层的高度与所述第一光电元件的高度相同,所述KSF荧光层覆盖在所述第一隔离层和所述多个第一光电元件上。
9.根据权利要求5所述的板上芯片型光电器件,其特征在于,所述第一隔离层的高度小于所述第一光电元件的高度,所述KSF荧光层覆盖在所述第一隔离层和所述多个第一光电元件上,且所述KSF荧光层覆盖在所述第一隔离层的高度大于覆盖在所述第一光电元件的高度,且所述KSF荧光层远离所述金属基板的上表面为水平面。
10.根据权利要求2-4中任意一项所述的板上芯片型光电器件,其特征在于,还包括:
多个第二光电元件,设置在所述金属基板上,且位于所述光电元件固定区域内,与所述多个第一光电元件按照设计需求排列;
其中,所述隔离层还覆盖所述多个第二光电元件,且包括:除所述KSF荧光粉之外的其他荧光粉;所述隔离层包括的所述其他荧光粉对所述多个第二光电元件发出的光进行波长转换后输出的光的色温高于所述KSF荧光层对所述多个第一光电元件发出的光进行波长转换后输出的光的色温。
11.根据权利要求5-7中任意一项所述的板上芯片型光电器件,其特征在于,还包括:
多个第二光电元件,设置在所述金属基板上,且位于所述光电元件固定区域内,与所述多个第一光电元件按照设计需求排列;
其中,所述第一隔离层填充在相邻的所述第一光电元件和所述第二光电元件之间,且在垂直于所述金属基板的方向上,所述第一隔离层的高度还不高于所述第二光电元件的高度;
所述第二隔离层还设置在所述第一隔离层和所述多个第二光电元件上,且包括:除所述KSF荧光粉之外的其他荧光粉;所述第二隔离层包括的所述其他荧光粉对所述多个第二光电元件发出的光进行波长转换后输出的光的色温高于所述KSF荧光层对所述多个第一光电元件发出的光进行波长转换后输出的光的色温。
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