[发明专利]载置台、等离子体处理装置以及等离子体处理方法

权利要求书

1.一种载置台，其具有载置面，其特征在于，

所述载置台具有厚度，

该载置台包括埋设有高频电极的载置台主体，

所述载置台主体包含陶瓷，

所述高频电极在所述载置面的外周部下方区域沿所述厚度的方向延伸。

2.根据权利要求1所述的载置台，其特征在于，

该载置台还包括多个传输线路，该传输线路自所述载置台的大致中心位置朝向所述高频电极延伸并与所述高频电极相连，

各个所述传输线路为宽度W的薄膜，

宽度W满足：

0.5mm≤W≤5mm。

3.根据权利要求1或2所述的载置台，其特征在于，

所述载置面的最大直径小于配置在所述载置面上的基板的最大直径。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的载置台，其特征在于，

该载置台在所述载置台主体内包括加热器电极层。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的载置台，其特征在于，

所述高频电极的所述厚度方向上的尺寸ΔZ满足：

0.05mm≤ΔZ≤10mm。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的载置台，其特征在于，

所述载置面的所述外周部下方区域的距所述载置面的周边部的边缘的距离Δr满足：

1mm≤Δr≤5mm。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的载置台，其特征在于，

所述高频电极的俯视形状包含环形。

8.一种等离子体处理装置，其中，

该等离子体处理装置包括：

权利要求1～7中任一项所述的载置台；

收纳所述载置台的处理容器；以及

所述处理容器内的等离子体产生用的气体供给源。

9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于，

自所述气体供给源供给的气体的供给位置为所述处理容器的中央部和周边部。

10.根据权利要求8或9所述的等离子体处理装置，其特征在于，

该等离子体处理装置还包括绝缘构件，该绝缘构件相对于配置在所述载置台的所述载置面上的基板隔开间隙地配置。

11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，

将所述间隙设为Δg，

间隙Δg满足：

0.3mm≤Δg≤0.6mm。

12.根据权利要求10或11所述的等离子体处理装置，其特征在于，

配置于所述载置台的所述载置面上的基板的周边部的边缘的径向上的位置位于比所述绝缘构件的下端的周边部的边缘的径向上的位置靠外侧的位置。

13.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述基板的周边部的边缘的径向上的位置R1与所述绝缘构件的下端的周边部的边缘的径向上的位置R2之差ΔR满足：

0.5mm≤ΔR≤3mm。

14.一种等离子体处理装置，其特征在于，

该等离子体处理装置包括：

载置台；

收纳所述载置台的处理容器；以及

所述处理容器内的等离子体产生用的气体供给源，

所述载置台具有载置面，包括埋设有高频电极的载置台主体，

所述载置台主体包含陶瓷，

所述高频电极位于所述载置面的外周部下方区域，

所述载置面的最大直径小于配置在所述载置面上的基板的最大直径。

15.一种等离子体处理方法，其中，

该等离子体处理方法使用权利要求8～14中任一项所述的等离子体处理装置，

该等离子体处理方法包括以下步骤：

在所述载置台上配置基板；

自所述气体供给源向所述处理容器内供给气体；以及

向所述高频电极供给高频电力，在所述基板的周边部的边缘附近选择性地产生等离子体。