[发明专利]用于芯片的参数修调装置和方法

说明书

提供了一种用于芯片的参数修调装置和方法。该参数修调装置包括开关、参数修调信号、以及锁存器，其中：开关控制针对参数修调信号的偏置电流的提供与否；参数修调信号在被提供以偏置电流时，利用偏置电流生成参数修调信号并将参数修调信号提供给锁存器；锁存器通过对参数修调信号进行锁存生成锁存修调信号并将锁存修调信号提供给芯片的芯片控制电路，以使芯片控制电路基于锁存修调信号对芯片内部的一个或多个参数进行修调。根据本发明实施例的用于芯片的参数修调装置和方法可以在无需持续的偏置电流的条件下实现对芯片内部的一个或多个参数的持续修调，因此可以减小芯片的工作电流，从而降低芯片的功耗。

技术领域

本发明涉及电路领域，更具体地涉及一种用于芯片的参数修调装置和方法。

背景技术

在芯片测试中需要对芯片内部的一些参数进行修调。这些参数可以是参考电压、偏置电流、振荡器频率、或功能选择等。用于芯片的参数修调方式有很多，通过熔丝熔断进行修调是广泛应用的方式。

图1示出了传统的熔丝熔断修调方式的原理示意图。在图1中，R_fuse是与熔丝的电阻有关的电阻，I_bias是固定的偏置电流；当不需要对芯片内部的一个或多个参数进行修调时，熔丝未烧断，R_fuse较小，参数修调电路100向芯片控制电路200输出逻辑低电平的参数修调信号Trim_logic；当需要对芯片内部的一个或多个参数进行修调时，熔丝烧断，R_fuse由于熔丝烧断而增大，参数修调电路100向芯片控制电路200输出逻辑高电平的参数修调信号Trim_logic。在芯片工作时，芯片控制电路200可以根据参数修调信号Trim_logic对芯片内部的一个或多个参数进行修调。

图2示出了实现图1所示的修调方式的参数修调电路100的示意图。如图2所示，参数修调电路100包括电阻R1和整形电路buffer1；偏置电流I1流过串联的电阻R1和熔丝fuse1产生的电压经由整形电路bufer1进行电平整形产生数字信号；当不需要对芯片内部的一个或多个参数进行修调时，熔丝fuse1未烧断，电阻R1和熔丝fuse1的总阻抗较小，偏置电流I1流过电阻R1和熔丝fuse1在A1节点产生的电压小于整形电路buffer1的翻转阈值，整形电路Buffer1输出逻辑低电平的参数修调信号B1；当需要对芯片内部的一个或多个参数进行修调时，熔丝fuse1烧断，电阻R1和熔丝fuse1的总阻抗较大，偏置电流I1流过电阻R1和熔丝fuse1在A1节点产生的电压大于整形电路buffer1的翻转阈值，整形电路Buffer1输出逻辑高电平的参数修调信号B1。

为了保证芯片控制电路200接收到持续的参数修调信号B1，需要向参数修调电路100提供持续的偏置电流I1。当需要对芯片内部的多个修调位进行修调时，需要多路偏置电流，这会导致芯片的工作电流增大。

发明内容

鉴于以上所述的问题，提出了根据本发明实施例的用于芯片的参数修调装置和方法。

根据本发明实施例的用于芯片的参数修调装置，包括开关、参数修调电路、以及锁存器，其中：开关控制针对参数修调电路的偏置电流的提供与否；参数修调电路在被提供以偏置电流时，利用偏置电流生成参数修调信号并将参数修调信号提供给锁存器；锁存器通过对参数修调信号进行锁存生成锁存修调信号并将锁存修调信号提供给芯片的芯片控制电路，以使芯片控制电路基于锁存修调信号对芯片内部的一个或多个参数进行修调。

根据本发明实施例的用于芯片的参数修调方法，包括：在芯片上电后的预定时段中，基于偏置电流生成参数修调信号；在预定时段中的预定时刻对参数修调信号进行锁存，以生成锁存修调信号；以及利用锁存修调信号对芯片内部的一个或多个参数进行修调。

在根据本发明实施例的用于芯片的参数修调装置和方法中，通过对参数修调信号进行锁存生成锁存修调信号并基于锁存修调信号对芯片内部的一个或多个参数进行修调，可以在无需持续的偏置电流的条件下实现对芯片内部的一个或多个参数的持续修调。因此，可以减小芯片的工作电流，从而降低芯片的功耗。

附图说明