[发明专利]成膜装置及成膜装置的水分去除方法

说明书

本发明提供一种可在不会导致装置的复杂化的情况下促进腔室内的水分去除的成膜装置及成膜装置的水分去除方法。实施方式的成膜装置具有：能够使内部为真空的腔室、对腔室内进行排气的排气部、利用旋转台循环搬运工件的搬运部、以及对循环搬运后的工件进行等离子体处理的多个等离子体处理部，多个等离子体处理部分别具有进行等离子体处理的处理空间，多个等离子体处理部中的至少一个是通过溅镀对循环搬运后的工件进行成膜处理的成膜处理部，多个等离子体处理部中的至少一个是如下加热部，所述加热部是在不进行利用成膜处理部的成膜处理的状态下，随着利用排气部进行的排气及旋转台的旋转，产生等离子体，经由旋转台对腔室内进行加热，由此去除水分。

技术领域

本发明涉及一种成膜装置及成膜装置的水分去除方法。

背景技术

在半导体装置、液晶显示器、有机电致发光(electroluminescence，EL)显示器、光盘等各种产品的制造工序中，例如有时在晶片或玻璃基板等工件上制成光学膜等薄膜。薄膜可通过对工件形成金属等的膜的成膜处理、或对形成的膜进行蚀刻、氧化或氮化等膜处理等来制成。

成膜处理或膜处理可利用各种方法进行，作为其中之一，有在减压至规定的真空度的腔室中产生等离子体，使用所述等离子体进行处理的方法。在成膜处理中，向配置有包括成膜材料的靶材的腔室导入惰性气体，对靶材施加直流电压。使等离子体化的惰性气体的离子与靶材碰撞，使自靶材中敲击出的成膜材料堆积在工件而进行成膜。此种成膜处理被称为溅镀。在膜处理中，向配置有电极的真空腔室导入工艺气体，对电极施加高频电压。通过使等离子体化的工艺气体的离子、自由基等活性种与工件上的膜碰撞，进行膜处理。

为了连续进行此种成膜处理与膜处理，有在一腔室的内部安装作为旋转体的旋转台，在旋转台上方的周向上配置有多个成膜用单元与膜处理用单元的等离子体处理装置。成膜用单元与膜处理用单元分别具有划分出的处理室(成膜室、膜处理室)。各处理室的朝向旋转台的下方被开放，将工件保持在旋转台上并加以搬运，使其通过多个处理室的正下方，由此形成光学膜等薄膜。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2005-352018号公报

[专利文献2]日本专利特开2010-225847号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

随着持续进行成膜处理，自成膜用单元飞散出的成膜材料堆积在所述般的成膜装置的腔室内的各种部位。若以所述方式堆积的成膜材料剥离，则作为成膜对象的工件会被污染。但是，在膜直接附着在腔室的内壁或旋转台的情况下，去除膜是非常困难的。因此，以覆盖腔室的内壁、旋转台的表面等的方式，能够装卸地设置有防附着板。防附着板通过附着成膜处理时飞散的成膜材料，防止成膜材料附着在腔室的内壁或旋转台的表面。

此种防附着板在持续进行成膜处理后，为了防止附着的膜剥离而污染工件，需要拆卸进行清洗(进行维护)。例如将腔室向大气开放，自腔室拆卸防附着板后，通过喷砂去除堆积在表面的膜，进而利用纯水进行清洗。清洗后，使其干燥后，在真空包装的状态下搬运至成膜装置，开封后再次安装于成膜装置，进行成膜。

此处，在通过溅镀进行成膜时，将成膜装置的腔室减压至高真空区域。由此，可减少腔室内存在的杂质，且减少气体分子，使得平均自由行程变大。结果，自靶材中敲击出的成膜材料到达工件，稳定地形成致密的膜质。但是，在刚更换防附着板后，使成膜装置运转并对腔室进行排气减压，腔室内的真空度也不会上升的状态会长期持续。这是因为：在安装清洗、干燥后的防附着板时，防附着板的内部残留有水分，随着腔室内进行减压，大量的水分自防附着板持续产生。

进而，若维护等时将腔室内向大气开放，则大气中包含的水分会吸附在腔室内的壁和各种构件上。因此，不仅防附着板，暴露在大气中的腔室内的所有构件均需要去除水分。