[发明专利]一种激光器阵列温度检测方法及装置

说明书

本发明公开了一种激光器阵列温度检测方法及装置，该方法包括：获取激光器阵列低于阈值电流时的阵列各发光单点的第一光谱信息；获取激光器阵列设定电流时的阵列各发光单点的第二光谱信息；根据第一光谱信息、第二光谱信息以及激光器阵列的温漂系数计算得到激光器阵列的各发光单点温度值。本发明实施例提供的激光器阵列温度检测方法，通过获取激光器阵列中各发光单点在阈值电流以下时的第一光谱信息和设定电流时的第二光谱信息，由于光谱信息中包含各发光单点的波长信息，可以通过波长和温度的关系实现温度的分布式检测。因此，该方法与探针接触式检测方法相比，通过非接触测量，可以避免探针对阵列芯片的损坏。

技术领域

本发明涉及激光器领域，具体涉及一种激光器阵列温度检测方法及装置。

背景技术

目前，激光器中尤其是垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，VCSEL)由于出射光束易于光纤耦合、阈值电流低、直调带宽大、支持片上检测、易于实现二维阵列、生产成本低廉等优势，已经广泛应用于短距离光通信网络、数据中心以及USB，PCI Express，等消费类电子产品中。

然而，在VCSEL阵列芯片的检测过程中，芯片温度是非常重要的监测数据，过高的温度会影响芯片的性能及寿命。目前行业中对于VCSEL阵列芯片普遍采用温度探针接触式测量，由于VCSEL阵列中的发光单点尺寸小，排列密集。采用探针接触式检测可能会损伤发光单点，且检测效率低下，不利于批量检测。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种激光器阵列温度检测方法及装置，以解决现有技术中采用探针接触式测量时可能会损伤发光单点的问题。

本发明提供的技术方案如下：

本发明实施例第一方面提供一种激光器阵列温度检测方法，该方法包括如下步骤：获取所述激光器阵列在低于阈值电流时的阵列各发光单点的第一光谱信息；获取所述激光器阵列在设定电流时的阵列各发光单点的第二光谱；根据所述第一光谱信息、所述第二光谱信息以及所述激光器阵列的温漂系数计算得到所述激光器阵列的各发光单点温度值。

可选地，获取所述激光器阵列在低于阈值电流时的阵列各发光单点的第一光谱信息，包括：在所述激光器阵列中通入低于阈值的第一电流；采集所述激光器阵列在所述第一电流作用下发出的第一光束；根据光谱仪对所述第一光束进行检测得到阵列各发光单点的第一光谱信息。

可选地，获取所述激光器阵列在设定电流时的阵列各发光单点的第二光谱信息，包括：在所述激光器阵列中通入高于阈值的第二电流；采集所述激光器阵列在所述第二电流作用下发出的第二光束；根据光谱仪对所述第二光束进行检测得到阵列各发光单点的第二光谱信息。

可选地，采集所述激光器阵列在所述第一电流作用下发出的第一光束，包括：采集所述激光器阵列中第一个发光单点在所述第一电流作用下发出的第一光束；每隔预设时间将所述激光器阵列移动预设距离，采集所述激光器阵列中其他各发光单点在所述第一电流作用下发出的第一光束；采集所述激光器阵列在所述第二电流作用下发出的第二光束，包括：采集所述激光器阵列中第一个发光单点在所述第二电流作用下发出的第二光束；每隔预设时间将所述激光器阵列移动预设距离，采集所述激光器阵列中其他各发光单点在所述第二电流作用下发出的第二光束。

可选地，根据所述第一光谱信息、所述第二光谱信息以及所述激光器阵列的温漂系数计算得到所述激光器阵列的各发光单点温度值，包括：根据所述第一光谱信息确定所述激光器阵列在低于阈值电流时的第一发光波长；根据所述第二光谱信息确定所述激光器阵列在设定电流时的第二发光波长；根据所述第一发光波长、所述第二发光波长以及所述激光器阵列的温漂系数计算得到所述激光器阵列的各发光单点温度差；根据所述激光器阵列的预设温度以及各发光单点温度差确定所述激光器阵列各发光单点温度值。