[发明专利]一种高性能的带隙基准电路

权利要求书

1.一种高性能的带隙基准电路，其特征在于，在所述带隙基准电路中：

第一三极管的集电极依次通过第三镜像支路和第一镜像支路连接工作电压、发射极通过第一电阻和第四可调电阻接地，第二三极管的集电极依次通过第四镜像支路和第二镜像支路连接所述工作电压、发射极连接所述第一电阻和第四可调电阻的公共端，所述第一三极管的基极和第二三极管的基极相连；具有正温度系数的第一偏置电压输入所述第一镜像支路和所述第二镜像支路构成的电流镜，具有负温度系数的第二偏置电压输入所述第三镜像支路和所述第四镜像支路构成的电流镜，所述第一三极管由若干个与所述第二三极管规格相同的三极管并联而成，流过所述第一三极管的电流等于流过所述第二三极管的电流；

第三电阻的一端通过第五镜像支路连接所述工作电压、另一端连接所述第一三极管的基极，所述第五镜像支路和第三电阻的公共端输出基准电压；所述第五镜像支路和所述第一镜像支路构成电流镜，流过所述第一三极管的电流等于流过所述第三电阻的电流；

所述第二镜像支路和所述第四镜像支路的公共端通过补偿电容接地，负反馈支路的输入端连接所述第二镜像支路和所述第四镜像支路的公共端、输出端连接所述第一三极管的基极。

2.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第四可调电阻包括若干个电阻修调组，若干个电阻修调组形成的串联电路的一端连接所述第二三极管的发射极、另一端接地，每个所述电阻修调组由一个MOS管和一个固定电阻并联形成，各个电阻修调组中的MOS管的栅极分别受控于各自的控制信号。

3.根据权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于，从所述第二三极管的发射极至接地端的各个电阻修调组中的MOS管的个数呈指数级增长，从所述第二三极管的发射极至接地端的各个电阻修调组中的固定电阻的阻值呈指数级增长；其中同一个电阻修调组中的若干个MOS管并联。

4.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述负反馈支路包括第二电阻、第五NMOS管、第三三极管和第五可调电阻，所述第五NMOS管的漏极通过所述第二电阻连接所述工作电压，所述第五NMOS管的源极连接所述第三三极管的集电极和基极，所述第三三极管的发射极通过所述第五可调电阻接地，所述第五NMOS管的源极连接所述第一三极管的基极，所述第五NMOS管的栅极连接所述第二镜像支路和所述第四镜像支路的公共端。

5.根据权利要求4所述的带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准电路的工作电压的最小值为VBE、VGS和VOV之和，其中，VBE为所述第二三极管的基极与发射极之间的电压，VGS是所述第五NMOS管的栅极和源极之间的电压，VOV是所述第二镜像支路的总的过驱动电压。

6.根据权利要求4所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第三镜像支路和第四镜像支路分别基于NMOS管构建，所述第五NMOS管的规格与所述第三镜像支路和第四镜像支路中的NMOS管的规格相同；所述第三三极管由两个与所述第二三极管规格相同的三极管并联而成，所述第五可调电阻的规格与所述第四可调电阻的规格相同，流过所述第三三极管的电流等于流过所述第二三极管的电流的两倍，流过所述第五可调电阻的电流等于流过所述第四可调电阻的电流，所述第一三极管的集电极的电压、第二三极管的集电极的电压以及第三三极管的集电极的电压相等。