[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

形成具有第一开口的第一电极层，其中，所述第一开口具有第一横向尺寸；

在所述第一电极层上方形成第一电容器绝缘体；

在所述第一电容器绝缘体上方形成第二电极层，其中，所述第二电极层具有第二开口，所述第一开口在所述第二开口的正下方，其中，所述第二开口具有大于所述第一横向尺寸的第二横向尺寸；

在第二电极层上方沉积介电层；

形成接触开口，所述接触开口包括：

第一部分，所述第一部分包括所述第一开口；和

第二部分，所述第二部分包括所述第二开口；以及

在所述接触开口中形成第一导电插塞。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：形成蚀刻掩模，其中，所述接触开口的所述第一部分和所述第二部分是使用所述蚀刻掩模形成的。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述接触开口还包括第三部分，所述第三部分在所述第二部分上方，其中，所述第三部分具有大于所述第二横向尺寸的第三横向尺寸，并且所述接触开口的所述第三部分是使用所述蚀刻掩模形成的。

4.一种半导体器件，包括：

第一介电层；

电容器，所述电容器包括：

第一电极层，所述第一电极层在所述第一介电层上方；

第一电容器绝缘体，所述第一电容器绝缘体在所述第一电极层上方；和

第二电极层，所述第二电极层在所述第一电容器绝缘体上方；

第一导电插塞，所述第一导电插塞将所述第一电极层和所述第二电极层电互连，所述第一导电插塞包括：

第一部分，所述第一部分穿过所述第一电极层并且延伸到所述第一介电层中；和

第二部分，所述第二部分穿过所述第二电极层，其中，所述第一导电插塞的所述第二部分包括第一底部表面，所述第一底部表面与所述第一电极层的第一顶部表面接触；以及

第二介电层，所述第二介电层在所述第二电极层上方，其中，所述第一导电插塞延伸到所述第二介电层中。

5.根据权利要求4所述的器件，其中，所述第一导电插塞还包括第三部分，所述第三部分延伸到所述第二介电层中，并且其中，所述第三部分包括第二底部表面，所述第二底部表面与所述第二电极层的第二顶部表面接触。

6.根据权利要求4所述的器件，其中，所述第一导电插塞的所述第一部分具有第一横向尺寸，并且所述第一导电插塞的所述第二部分具有大于所述第一横向尺寸的第二横向尺寸。

7.一种半导体器件，包括：

第一导电部件和第二导电部件；

第一介电层，所述第一介电层在所述第一导电部件和所述第二导电部件上方；

电容器，所述电容器包括：

第一电极层，所述第一电极层在所述第一介电层上方；

第一电容器绝缘体，所述第一电容器绝缘体在所述第一电极层上方；和

第二电极层，所述第二电极层在所述第一电容器绝缘体上方；以及

第一导电插塞，所述第一导电插塞包括：

第一下部部分，所述第一下部部分从所述第一电极层延伸到所述第一导电部件；和

第一上部部分，所述第一上部部分在所述第一电极层上方，其中，所述第一上部部分的第一底部表面与所述第一电极层的第一顶部表面接触。

8.根据权利要求7所述的器件，还包括：

第二导电插塞，所述第二导电插塞包括：

第二下部部分，所述第二下部部分从所述第二电极层延伸到所述第二导电部件；和

第二上部部分，所述第二上部部分在所述第二电极层上方，其中，所述第二上部部分的第二底部表面与所述第二电极层的第二顶部表面接触。

9.根据权利要求7所述的器件，还包括：

第二电容器绝缘体，所述第二电容器绝缘体在所述第二电极层上方；以及

第三电极层，所述第三电极层在所述第二电容器绝缘体上方，其中，所述第一导电插塞将所述第一电极层和所述第三电极层电互连。

10.根据权利要求9所述的器件，其中，所述第一导电插塞还包括顶部部分，所述顶部部分在所述第一上部部分上方，并且其中，所述顶部部分的第三底部表面与所述第三电极层的第三顶部表面接触。