[发明专利]封装结构及其制作方法在审
申请号: | 202110177847.7 | 申请日: | 2021-02-09 |
公开(公告)号: | CN112967933A | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 章军 | 申请(专利权)人: | 池州昀冢电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/50;H01L21/52;H01L23/498;H01L23/04;H01L23/055;H01L23/06;H01L23/10 |
代理公司: | 苏州领跃知识产权代理有限公司 32370 | 代理人: | 王宁 |
地址: | 247000 安徽省池州市皖江*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 制作方法 | ||
本申请公开了一种封装结构及其制作方法,所述方法包括:提供一高温共烧陶瓷基板,所述高温共烧陶瓷基板包括多个叠放的基板单元,所述基板单元上设置有贯穿所述基板单元上下两面的导电体,最上层以外的所述基板单元的上表面设置有层间导电层,最上层的所述基板单元的上表面不设置层间导电层;在最上层的所述基板单元的上表面制作第一导电层,在最下层的所述基板单元的下表面制作第二导电层;所述第一导电层和第二导电层分别采用以下任意一种方法得到:采用直接镀铜方式得到;在所述基板单元的表面制作导电膜层,根据预设的电路图形,对导电膜层进行激光刻蚀或采用CNC加工方式去除部分导电膜层。该方法可以提高多层陶瓷基板的线路精准度。
技术领域
本申请涉及半导体基板制作技术领域,尤其涉及一种封装结构及其制作方法。
背景技术
陶瓷材料因具有可靠性高、导热性好、热膨胀系数与芯片材料匹配、电绝缘强度高等优点,是封装技术的理想散热材料,目前陶瓷封装技术的发展与趋势,不断地向低热阻、高可靠度、长寿命、易加工、小尺寸及低成本等方向持续发展。陶瓷封装凭借导热好、可靠性高等特性,始终在功率电子器件领域占据着一席之地。
最初陶瓷封装的基板主要采用LTCC(Low Temperature co-fired ceramics,低温共烧陶瓷)和HTCC(High Temperature co-fired ceramics,高温共烧陶瓷)工艺技术,由于加工精度的缺陷,很快新的技术DPC(Direct Plating Copper,直接镀铜)工艺发明解决了这一问题。DPC陶瓷线路板采用结合薄膜线路与电镀制程的技术,在薄膜金属化的陶瓷基板上采用影像转移方式制作线路,再采用穿孔电镀技术形成高密度双面布线间的垂直互连,具备了高线路精准度、高表面平整度、高绝缘及高导热的特性,在高功率封装领域迅速占据了重要的市场地位。
DPC陶瓷线路板传统的制作工艺流程包括以下典型步骤:提供陶瓷基板,真空镀薄铜,贴干膜,曝光显影,电镀铜,化学去膜蚀刻,表面处理,成型陶瓷线路板。公告号为CN102709439B的中国专利公开了一种LED陶瓷支架及其制备方法,该制备方法包括以下步骤:(1)打孔;(2)超声波清洗;(3)离子源蚀刻;(4)磁控溅镀;(5)化学沉铜;(6)贴干膜、曝光、显影;(7)电镀加厚;(9)去干膜;(10)去钛、铜层;(11)去锡。现有DPC陶瓷线路板的制作工艺存在以下缺陷:生产流程长,工序繁多,工艺过程控制复杂,容易导致产品品质不稳定,生产成本提高。另外DPC陶瓷线路板的制作工艺不能制作两层以上的线路,而LTCC、HTCC工艺技术可以制作多层线路。
因此,研究如何提高多层陶瓷基板的线路精准度和表面平整度具有现实意义。
发明内容
本申请的目的在于提供一种封装结构及其制作方法,通过对封装结构的制作方法进行改进,提高多层陶瓷基板的线路精准度和表面平整度。
本申请的目的采用以下技术方案实现:
一种封装结构的制作方法,包括以下步骤:
提供一高温共烧陶瓷基板,所述高温共烧陶瓷基板包括多个叠放的基板单元,所述基板单元上设置有贯穿所述基板单元上下两面的导电体,最上层以外的所述基板单元的上表面设置有层间导电层,最上层的所述基板单元的上表面不设置层间导电层;
在最上层的所述基板单元的上表面制作第一导电层,在最下层的所述基板单元的下表面制作第二导电层,所述第一导电层电性连接最上层的所述基板单元中的导电体,所述第二导电层电性连接最下层的所述基板单元中的导电体;
所述第一导电层和第二导电层分别采用以下任意一种方法得到:
采用直接镀铜方式得到;
在所述基板单元的表面制作导电膜层,根据预设的电路图形,对所述导电膜层进行激光刻蚀或采用CNC加工方式去除部分导电膜层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造