[发明专利]具有可调整偏置的预驱动器级

权利要求书

1.一种电系统，其包括：

电源；

电路，其耦合到所述电源且包含运算放大器，所述运算放大器具有：

输入级；

预驱动器级，其耦合到所述输入级，其中所述预驱动器级包含第一输入端子、第二输入端子和电源端子；及

输出级，其具有耦合到所述预驱动器级的双极晶体管，其中所述预驱动器级经配置以：

检测跨所述预驱动器级的所述第一和第二输入端子的电压差；及

基于所述电压差提供可调整偏置电流。

2.根据权利要求1所述的电系统，其中所述预驱动器级包含偏置电流控制电路，所述偏置电流控制电路经配置成基于归因于所述预驱动器级的所述第一输入端子处的输入电压(Vina)和所述预驱动器级的所述第二输入端子处的另一电压(Vinb)的电压差来提供所述可调整偏置电流，其中所述可调整偏置电流是|Vina-Vinb|的函数。

3.根据权利要求2所述的电系统，其中所述偏置电流控制电路经配置以将所述可调整偏置电流添加到所述预驱动器级的固定偏置电流，且其中所述可调整偏置电流随|Vina-Vinb|增加而增加。

4.根据权利要求3所述的电系统，其中所述偏置电流控制电路包含：

AB类偏置电流发生器，其经配置为输出作为Vina和Vinb的函数的控制电流；及

电流镜，其经耦合到所述AB类偏置电流发生器，其中所述电流镜经配置成基于所述控制电流将所述可调整偏置电流添加到所述预驱动器级的所述固定偏置电流。

5.根据权利要求1所述的电系统，其中所述预驱动器级是双极预驱动器级，其包含：

第一NPN双极晶体管，其集电极端子耦合到所述电源端子，其基极端子耦合到所述第一输入端子，且其发射极端子耦合到所述双极预驱动器级的第二NPN双极晶体管的基极端子；及

第三NPN双极晶体管，其集电极端子耦合到所述电源端子，其基极端子耦合到所述第二输入端子，且其发射极端子耦合到所述双极预驱动器级的第四NPN双极晶体管的基极端子。

6.根据权利要求1所述的电系统，其中所述预驱动器级是双极及互补金属氧化物半导体BiCMOS预驱动器级，其包含：

第一n型金属氧化物半导体NMOS晶体管，其漏极端子耦合到所述电源端子，其栅极端子耦合到所述第一输入端子，且其源极端子耦合到所述BiCMOS预驱动器级的第一双极晶体管的基极端子；及

第二NMOS晶体管，其漏极端子耦合到所述电源端子，其栅极端子耦合到所述第二输入端子，且其源极端子耦合到所述BiCMOS预驱动器级的第二双极晶体管的基极端子。

7.根据权利要求6所述的电系统，其中所述BiCMOS预驱动器电路具有拓扑部分，所述拓扑部分包含：

所述第一双极晶体管；

所述第二双极晶体管，其具有耦合到所述输出级的集电极端子；

第三双极晶体管，其具有经由串联的第一和第二二极管耦合到所述第一双极晶体管的所述基极端子的基极端子，其中所述第一和第二二极管的阴极面向所述第三双极晶体管的所述基极端子；及

第四双极晶体管，其集电极端子耦合到所述输出级且其基极端子经由串联的第三和第四二极管耦合到所述第二双极晶体管的所述基极端子，其中所述第三和第四二极管的阴极面向所述第四双极晶体管的所述基极端子，

其中所述第一和第三双极晶体管的发射极端子耦合在一起，

其中所述第二和第四双极晶体管的发射极端子耦合在一起，及

其中所述第一和第三双极晶体管的所述发射极端子经由电阻器耦合到所述第二和第四双极晶体管的所述发射极端子。

8.根据权利要求7所述的电系统，其中所述BiCMOS预驱动器级的所述第一、第二、第三和第四双极晶体管的所述基极端子耦合到所述AB类偏置电流发生器。

9.根据权利要求8所述的电系统，其中所述AB类偏置电流发生器具有与所述BiCMOS预驱动器级的所述拓扑部分相等的晶体管拓扑。