[发明专利]一种纳米花阵列结构的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 202110178544.7 | 申请日： | 2021-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN113046707B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 王雅新;唐秀霞;朱奥男;赵晓宇;张永军;张小龙 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/20;G01N33/574;B82Y15/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 阵列 结构 制备 方法 及其 应用 | ||
1.一种纳米花阵列结构的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：
（1）清洗硅片；
（2）通过自组装的方法制备得到六方密排聚苯乙烯微球阵列结构；
（3）将六方密排聚苯乙烯微球阵列结构进行刻蚀制备得到溅射衬底；刻蚀后聚苯乙烯微球的直径为100-250nm，聚苯乙烯微球之间的间距为100-250nm；
（4）在溅射衬底表面进行倾斜、旋转磁控溅射；溅射衬底旋转速度为15-20°/min，溅射时间为15-20min。
2.根据权利要求1所述的一种纳米花阵列结构的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述清洗硅片为将硅片置于体积比为1:2-3:5-6的氨水、过氧化氢和去离子水的混合溶液中，加热至沸腾5-10min后，冷却，将硅片依次采用去离子水和无水乙醇超声10-20min。
3.根据权利要求1所述的一种纳米花阵列结构的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述六方密排聚苯乙烯微球阵列结构中聚苯乙烯微球的直径为200-500nm。
4.根据权利要求1所述的一种纳米花阵列结构的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述刻蚀方法为等离子刻蚀，刻蚀气体为体积比O2:Ar=4-5:1的混合气体。
5.根据权利要求1所述的一种纳米花阵列结构的制备方法，其特征在于，步骤（4）中所述磁控溅射靶材包括金或银。
6.根据权利要求1所述的一种纳米花阵列结构的制备方法，其特征在于，步骤（4）中溅射方向与溅射衬底法线方向夹角为70-80°。
7.一种如权利要求1-6任一所述方法制备得到的纳米花阵列结构在检测肝癌细胞标志物中的应用。
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