[发明专利]高压功率模块在审
申请号: | 202110180995.4 | 申请日: | 2016-08-12 |
公开(公告)号: | CN112802829A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 扎卡里·科尔;布兰东·帕斯莫尔 | 申请(专利权)人: | 科锐费耶特维尔股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L25/16;H02M1/00;H05K1/02;H05K5/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 刘彬 |
地址: | 美国阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高压 功率 模块 | ||
1.一种功率模块,包括:
多个电连接器;以及
多个功率半导体裸片,其中,所述多个功率半导体裸片中的第一功率半导体裸片的栅极触点和源极触点电连接以形成包括小于约15nH的电感的栅极控制回路。
2.根据权利要求1所述的功率模块,其中,所述功率模块被配置为阻断至少3kV。
3.根据权利要求1所述的功率模块,其中,所述功率模块被配置为阻断约5kV与16kV之间。
4.根据权利要求1所述的功率模块,其中,所述栅极控制回路的电感大于约1nH且小于约15nH。
5.根据权利要求1所述的功率模块,其中,所述栅极控制回路的电感介于约10nH与15nH之间。
6.根据权利要求1所述的功率模块,其中,所述栅极控制回路的电感介于约5nH与10nH之间。
7.根据权利要求1所述的功率模块,其中,所述栅极控制回路的电感介于约1nH与5nH之间。
8.根据权利要求1所述的功率模块,其中,所述第一功率半导体裸片的所述栅极触点和所述源极触点电连接到所述多个电连接器中的第一电连接器的不同的连接点。
9.根据权利要求8所述的功率模块,进一步包括:多层印刷电路板,被配置为将第一半导体裸片的所述栅极触点和所述源极触点电连接到所述第一电连接器的所述不同的连接点。
10.根据权利要求9所述的功率模块,其中,所述多层印刷电路板包括第一导电层和第二导电层,所述第一导电层被配置为提供所述栅极触点和所述第一电连接器之间的电连接,所述第二导电层被配置为提供所述源极触点和所述第一电连接器之间的电连接。
11.根据权利要求10所述的功率模块,其中,所述第一导电层和所述第二导电层被所述多层印刷电路板的绝缘层分离。
12.根据权利要求10所述的功率模块,其中,所述第一导电层和所述第二导电层被配置为跨越所述多层印刷电路板的宽度。
13.根据权利要求12所述的功率模块,其中,所述多层印刷电路板的宽度在约15mm与80mm之间。
14.根据权利要求8所述的功率模块,其中,所述第一电连接器包括低噪连接器。
15.根据权利要求14所述的功率模块,其中,所述低噪连接器包括微同轴连接器。
16.根据权利要求1所述的功率模块,其中,所述多个功率半导体裸片包括多个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。
17.根据权利要求1所述的功率模块,其中,所述多个功率半导体裸片形成多个子模块中的第一子模块。
18.根据权利要求8所述的功率模块,进一步包括,形成连接器开口的盖子,并且所述第一电连接器设置为通过所述连接器开口,其中,所述连接器开口包括形成至少一个同心凹陷的爬距增长器。
19.一种功率模块,包括:
串联耦接的多个功率半导体裸片,其中,所述多个功率半导体裸片包括耦接在第一功率半导体裸片和最后的功率半导体裸片之间的多个功率半导体裸片;
其中,所述第一功率半导体裸片的漏极触点和所述最后的功率半导体裸片的源极触点之间的电路径包括小于约20nH的功率回路电感。
20.根据权利要求19所述的功率模块,其中,所述功率模块被配置为阻断至少3kV。
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