[发明专利]一种无机耐高温突触晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种无机耐高温突触晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

a) 将一侧具有SiO₂层的硅片浸泡在碱金属盐溶液中；

碱金属盐溶液包括NaCl、LiCl、KCl、Na₂SO₄、Li₂SO₄、K₂SO₄、Na₂CO₃、Na₂SiO₃任意一种或几种水溶液；

碱金属盐溶液的温度为60-90°C；

浸泡时间为0.5-3小时；

碱金属盐溶液的浓度为0.1mol/L至饱和浓度；

b) 浸泡结束后，取出硅片用去离子水清洗，随后进行退火处理；

退火气氛为真空或惰性气体氛围；

退火温度为180-350 °C；

退火时间为0.5-2小时；

所述清洗次数为2-4次；

c) 将单分子层的二维半导体MoS₂转移至步骤b）退火后的SiO₂层上，形成沟道；沟道两端分别加工源电极和漏电极与沟道形成电学连接。

2.一种权利要求1所述制备方法得到的无机耐高温突触晶体管，其中，包括衬底、沟道、栅电极、源电极和漏电极，在硅片一侧设置SiO₂层作为衬底，衬底上设置沟道，沟道由单分子层的二维半导体MoS₂构成，源电极和漏电极分别位于沟道的两端，并与沟道形成欧姆接触，整体位于SiO₂层上；硅片另一侧作为栅电极；其特征在于，所述SiO₂层中含有可迁移的碱金属离子。

3.根据权利要求2所述突触晶体管，其特征在于，所述碱金属离子为Li⁺、Na⁺或K⁺。

4. 根据权利要求2所述突触晶体管，其特征在于，所述突触晶体管的工作温度范围为150 °C-350 °C。

5.根据权利要求2所述突触晶体管，其特征在于，所述衬底为硅片，所述源电极、漏电极为Au、Ti、Pd、Pt金属中的一种或几种。

6. 根据权利要求2所述突触晶体管，其特征在于，SiO₂层的厚度为90-350 nm。

7. 根据权利要求2所述突触晶体管，其特征在于，单分子层的二维半导体MoS₂的厚度为0.6 nm-1.0 nm，源电极和漏电极的厚度为20 nm-100 nm。