[发明专利]超颖光学器件和包括该超颖光学器件的电子装置在审
申请号: | 202110181041.5 | 申请日: | 2021-02-07 |
公开(公告)号: | CN113325502A | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 朴贤圣;朴贤秀;韩承勋 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G02B5/18 | 分类号: | G02B5/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周祺 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 器件 包括 电子 装置 | ||
1.一种超颖光学器件,包括:
第一层,包括多个第一纳米结构和第一材料,所述第一材料被设置为与所述多个第一纳米结构相邻;
第二层,设置在所述第一层上,所述第二层包括多个第二纳米结构和第二材料,所述第二材料被设置为与所述多个第二纳米结构相邻,
其中,所述第一层和所述第二层包括在第一方向上的有效折射率变化率的符号彼此相反的区域,以及
其中,所述超颖光学器件被配置为获得相对于预定波段的入射光的目标相位延迟分布。
2.根据权利要求1所述的超颖光学器件,其中,所述第一层的在所述第一方向上的色散变化率与有效折射率变化率的第一比率不同于所述第二层的在所述第一方向上的色散变化率与有效折射率变化率的第二比率。
3.根据权利要求1所述的超颖光学器件,其中,所述目标相位延迟分布相对于所述预定波段的波长具有为0的色散。
4.根据权利要求1所述的超颖光学器件,其中,所述第一层的相位延迟分布和所述目标相位延迟分布在所述第一方向上具有相同符号的变化率。
5.根据权利要求4所述的超颖光学器件,其中,所述第二层的在所述第一方向上的色散变化率与有效折射率变化率的第二比率大于所述第一层的在所述第一方向上的色散变化率与有效折射率变化率的第一比率。
6.根据权利要求5所述的超颖光学器件,其中,所述第二层中包括的材料具有比所述第一层中包括的材料大的色散。
7.根据权利要求1所述的超颖光学器件,其中,所述第一层的第一相位延迟分布和所述第二层的第二相位延迟分布在所述第一方向上具有与位置变化相对应的相反符号的变化率。
8.根据权利要求1所述的超颖光学器件,其中,所述目标相位延迟分布是在所述预定波段中相对于所述超颖光学器件的位置的连续函数。
9.根据权利要求1所述的超颖光学器件,其中,所述多个第一纳米结构和所述多个第二纳米结构为柱状。
10.根据权利要求9所述的超颖光学器件,其中,所述多个第一纳米结构和所述多个第二纳米结构具有大于2的高宽比。
11.根据权利要求9所述的超颖光学器件,其中,所述多个第一纳米结构的第一高度和所述多个第二纳米结构的第二高度大于所述预定波段的中心波长。
12.根据权利要求9所述的超颖光学器件,其中,所述多个第一纳米结构具有比所述第一材料高的折射率,
其中,所述多个第二纳米结构具有比所述第二材料高的折射率,以及
其中,所述多个第一纳米结构的宽度的变化图案和所述多个第二纳米结构的宽度的变化图案沿远离所述超颖光学器件的中心的方向彼此相反。
13.根据权利要求9所述的超颖光学器件,其中,所述多个第一纳米结构具有比所述第一材料低的折射率,
其中,所述多个第二纳米结构具有比所述第二材料高的折射率,以及
其中,所述多个第一纳米结构的宽度的变化图案和所述多个第二纳米结构的宽度的变化图案沿远离所述超颖光学器件的中心的方向相同。
14.根据权利要求9所述的超颖光学器件,其中,所述多个第一纳米结构具有内柱和壳柱,所述壳柱被设置为与所述内柱相邻。
15.根据权利要求14所述的超颖光学器件,其中,所述内柱的折射率低于所述壳柱的折射率。
16.根据权利要求15所述的超颖光学器件,其中,所述壳柱的折射率高于所述第一材料的折射率。
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