[发明专利]谐振器和谐振器的制造方法有效
| 申请号： | 202110181071.6 | 申请日： | 2021-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN112953440B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李红浪;许欣;柯亚兵 | 申请（专利权）人： | 广东广纳芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/15 | 分类号： | H03H9/15;H03H3/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 邓晔 |
| 地址： | 510700 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 谐振器 制造 方法 | ||
1.一种谐振器，其特征在于，包括：
衬底；
压电层，该压电层由PMNT材料形成并且形成在所述衬底上；
电极，该电极形成在所述压电层上；以及
氧化层，该氧化层形成在所述电极上并且覆盖所述电极。
2.如权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述PMNT材料是单晶材料，并且所述PMNT材料的极化方向是[001]方向。
3.如权利要求1或2所述的谐振器，其特征在于，所述PMNT材料是0.62Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.38PbTiO3。
4.如权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述电极由Ti、Al、Cu、Au、Pt、Ag、Pd、Ni或它们的合金、或者这些金属或合金的层叠体形成。
5.如权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述电极的厚度为80nm～180nm，所述衬底的厚度为350μm～500μm，所述压电层的厚度为0.1λ～2λ，其中，λ是由所述电极激发的声波的波长。
6.如权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述衬底由SiC、SiN、金刚石和Si中的一种或多种形成。
7.如权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述氧化层由SiO2、SiFO和SiOC中的一种或多种形成。
8.一种制造谐振器的制造方法，其特征在于，包括：
将由PMNT材料形成的压电层与衬底层在键合温度下进行键合；
在键合完成之后，对所述压电层和所述衬底层进行冷却；
在所述压电层上沉积电极；以及
在所述电极上沉积氧化层。
9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述PMNT材料是0.62Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.38PbTiO3。
10.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述键合温度小于或等于300℃。
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