[发明专利]谐振器和谐振器的制造方法

说明书

本发明提供一种谐振器及其制造方法，该谐振器的特征在于，包括：衬底；压电层，该压电层形成在所述衬底上；电极，该电极形成在所述压电层上；氧化层，该氧化层形成在所述电极上并且覆盖所述电极；以及频率调整层，该频率调整层形成在氧化层上。

技术领域

本申请涉及电子器件，尤其涉及谐振器以及谐振器的制造方法。

背景技术

声表面波(SAW：surface acoustic wave)器件是基于压电材料的压电效应，利用压电材料表面的声表面波工作的电子器件，其利用形成于压电材料表面的叉指换能器(IDT：interdigital transducer)(一种金属电极周期结构，其形状如同双手交叉)将电输入信号转换为声表面波，是现今通信设备的关键元器件。

对于SAW谐振器而言，所具有的各项性能都会对其使用表现产生较大的影响，进而影响包含SAW谐振器在内的整个装置乃至整个系统的稳定性、使用寿命等等。一般来说，现有的TC-SAW(Temperature Compensated SAW：温度补偿型SAW谐振器)的中心频率f₀≤3GHz，频率温度系数(TCF：Temperature Coefficient of Frequency)为-20至-25ppm/℃(进一步优化可达到TCF≤-20ppm/℃)，品质因数Q≤1500，优质因数(FOM：Figure ofMerit)≤100，机电耦合系数K²(也可写为k²)≤10％。

发明内容

发明所要解决的技术问题

随着5G通信等大带宽通信的飞速发展，对于SAW谐振器之类的器件的各项性能、尤其是压电性能提出了更高的要求。然而，如上所述的现有的SAW谐振器不能同时地满足大带宽、低插损以及高杂波抑制等通信要求。

本发明鉴于上述那样的现有问题而完成，其目的在于，提供一种谐振器及其制造方法，能够获得综合性能优异的谐振器。

解决技术问题的技术方案

在解决上述问题的本发明的一个实施例中，提供了一种谐振器，其特征在于，包括：

衬底；

压电层，该压电层形成在所述衬底上；

电极，该电极形成在所述压电层上；

氧化层，该氧化层形成在所述电极上并且覆盖所述电极；以及

频率调整层，该频率调整层形成在氧化层上。

在本发明的一实施例中，所述频率调整层由SiN形成。

在本发明的一实施例中，所述压电层由PMNT材料形成。

在本发明的一实施例中，所述PMNT材料是单晶材料，并且所述PMNT材料的极化方向是[001]方向。

在本发明的一实施例中，所述PMNT材料是0.67Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-0.33PbTiO₃。

在本发明的一实施例中，所述电极由Ti、Al、Cu、Cr、Au、Pt、Ag、Pd、Ni或它们的合金、或者这些金属或合金的层叠体形成。

在本发明的一实施例中，所述衬底由SiC、蓝宝石、金刚石和Si中的一种或多种形成。

在本发明的一实施例中，所述氧化层由SiO₂、SiFO和SiOC中的一种或多种形成。

在解决上述问题的本发明的一个实施例中，提供了一种制造谐振器的制造方法，其特征在于，包括：