[发明专利]数据储存装置以及参数改写方法在审
申请号: | 202110181275.X | 申请日: | 2018-01-30 |
公开(公告)号: | CN112992231A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 王德凯;陈瑜达 | 申请(专利权)人: | 慧荣科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06;G11C16/22;G06F12/16 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据 储存 装置 以及 参数 改写 方法 | ||
本发明提供一种数据储存装置以及参数改写方法。数据储存装置包括一快闪存储器以及一控制器。快闪存储器用以储存一固件,其中固件具有多个模式页面设定,并且每一模式页面设定包括多个模式参数。控制器自一主机接收用以改写模式页面设定中的一第一模式页面设定的一数据输出讯息,根据数据输出讯息判断数据输出讯息是否会改变第一模式页面设定中不可改写的模式参数,其中当数据输出讯息会改变第一模式页面设定中不可改写的模式参数时,控制器回传相应于失败的一UPIU回复讯息至主机。
本申请是申请号为:201810088967.8发明专利申请之分案申请。
技术领域
本发明有关于一种参数改写方法;特别有关于一种避免不可改写的参数被改变的参数改写方法。
背景技术
快闪存储器为一种普遍的非挥发性数据储存装置,是以电性方式抹除与程序化。以非及闸型的快闪存储器(即NAND FLASH)为例,常用作记忆卡(memory card)、通用串行总线闪存装置(USB flash device)、固态硬碟(SSD)、嵌入式快闪存储器模组(eMMC)…等使用。
在快闪存储器中的操作中,控制器需要依据许多参数来据以对快闪存储器进行存取与维护。一般而言,操作参数皆具有预设值,使得快闪存储器可工作在洽当的环境中。然而,使用者可藉由特定的命令对操作参数进行改写。若使用者改写不当,会造成快闪存储器操作于不洽当的环境,例如过久的写入读取周期,或者淘汰太多存储器空间。因此,需要一种方法来避免不可被改写的参数被使用者改变,以防止快闪存储器操作不当。
发明内容
本发明所提供的数据储存装置以及参数写入方法可拒绝会改变不可改写的模式参数的要求并且通知主机。
本发明提供一种数据储存装置,数据储存装置包括:
一快闪存储器,用以储存一固件,其中该固件具有多个模式页面设定,并且每一模式页面设定包括多个模式参数;以及
一控制器,自一主机接收一模式选择命令以及一数据输出讯息,其中该数据输出讯息用以改写这些模式页面设定中的一第一模式页面设定,并根据该数据输出讯息判断该数据输出讯息是否会改变该第一模式页面设定中不可改写的这些模式参数,
其中当该数据输出讯息不会改变该第一模式页面设定中不可改写的这些模式参数时,该控制器根据该模式选择命令判断多个新模式参数是否在该数据储存装置关闭后保留在该快闪存储器中。
另外,当该数据输出讯息不会改变该第一模式页面设定中不可改写的这些模式参数时,该控制器回传相应于成功的该统一快闪储存协议信息单元回复讯息至该主机。
在一实施例中,该控制器将该第一模式页面设定预设的这些模式参数填入一第二阵列,将该第一阵列与该第二阵列进行一互斥或逻辑运算,并且将该互斥或逻辑运算的结果填入一第三阵列,
其中该控制器将该第三阵列与一第四阵列进行一及逻辑运算,并且将该及逻辑运算的结果填入一第五阵列,其中该第四阵列中相应于不可改写的这些模式参数的位元为逻辑1,并且相应于可改写的这些模式参数的位元为0,以及
其中当该第五阵列中的任一位元为非零整数时,该控制器判断该数据输出讯息会改变该第一模式页面设定中不可改写的这些模式参数。
本发明提供一种数据储存装置。数据储存装置包括一快闪存储器以及一控制器。快闪存储器用以储存一固件,其中固件具有多个模式页面设定,并且每一模式页面设定包括多个模式参数。控制器自一主机接收用以改写模式页面设定中的一第一模式页面设定的一数据输出讯息,根据数据输出讯息判断数据输出讯息是否会改变第一模式页面设定中不可改写的模式参数,其中当数据输出讯息会改变第一模式页面设定中不可改写的模式参数时,控制器回传相应于失败的一UPIU回复讯息至主机。
另外,当数据输出讯息不会改变第一模式页面设定中不可改写的模式参数时,控制器回传相应于成功的UPIU回复讯息至主机。
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