[发明专利]具有场电极的功率半导体器件

权利要求书

1.一种功率半导体器件，包括：

半导体主体，被配置成在功率半导体器件的第一负载端子和第二负载端子之间传导负载电流；

源极区、沟道区和漂移体积，均被包括在半导体主体中，源极区被电连接至第一负载端子并且所述沟道区使源极区与漂移体积隔离；

半导体区域，被包括在半导体主体中并且将漂移体积耦合至第二负载端子，在所述半导体区域和所述漂移体积之间建立第一过渡；

控制电极，与半导体主体和负载端子中的每一个都绝缘并且被配置成控制沟道区中的负载电流的路径；以及

沟槽，沿着延伸方向延伸到漂移体积中并且包括场电极，

其中在平行于所述延伸方向的平面中，所述场电极的横截面面积小于所述控制电极的横截面面积，

其中所述场电极的欧姆电阻大于所述控制电极的欧姆电阻。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中：

欧姆场电极电阻等于第一路径的内部电阻与场电极的分布电阻的总和；并且

欧姆控制电极电阻仅是控制电极的分布电阻并且不包括由在第二路径中提供的欧姆电阻器构成的内部电阻。

3.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其中：

场电极的分布电阻至少由布置在所述沟槽中的场电极的部分构成；

并且控制电极的分布电阻至少由控制负载电流的路径的控制电极的部分构成。

4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中所述控制电极由第一材料制成，并且其中所述场电极由第二材料制成，所述第二材料呈现比第一材料的电导率更小的电导率。

5.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中所述沟槽包括控制电极和场电极中的每一个。

6.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中所述漂移体积包括超级结结构，所述超级结结构至少由具有第一导电类型的掺杂剂的漂移区和具有第二导电类型的掺杂剂的邻近补偿区形成。

7.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中所述场电极和第一过渡之间的距离占漂移体积在所述延伸方向上的总延伸的至少70%。

8.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述控制电极的横截面面积大于所述场电极的横截面面积的1.1倍。

9.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述控制电极的横截面面积大于所述场电极的横截面面积的1.5倍。

10.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述控制电极的横截面面积大于所述场电极的横截面面积的2倍。

11.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，在与所述延伸方向平行的平面中，所述场电极的总延伸小于所述控制电极的总延伸。

12.根据权利要求11所述的功率半导体器件，其中，所述控制电极的总延伸大于所述场电极的总延伸的1.1倍。

13.根据权利要求11所述的功率半导体器件，其中，所述控制电极的总延伸大于所述场电极的总延伸的1.5倍。

14.根据权利要求11所述的功率半导体器件，其中，所述控制电极的总延伸大于所述场电极的总延伸的2倍。

15.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述场电极的非接触区的横向延伸大于所述控制电极的非接触区的横向延伸。

16.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述场电极比所述控制电极沿着所述延伸方向延伸得更多。