[发明专利]一种角度调控掩蔽制备有序纳米阵列结构的方法及其应用

权利要求书

1.一种角度调控掩蔽制备有序纳米阵列结构的方法，其特征在于，包括以下制备步骤：

（1）清洗硅片；

（2）通过自组装的方法制备得到六方密排聚苯乙烯微球阵列结构；

（3）将六方密排聚苯乙烯微球阵列结构进行刻蚀制备得到溅射衬底；

（4）在溅射衬底表面进行磁控溅射，溅射方向为六方密排聚苯乙烯微球阵列结构的长对称轴方向和短对称轴方向，且与溅射衬底法线方向夹角为65-75°。

2.根据权利要求1所述的一种角度调控掩蔽制备有序纳米阵列结构的方法，其特征在于，步骤（1）中所述清洗硅片为将硅片置于体积比为1:2-3:5-6的氨水、过氧化氢和去离子水的混合溶液中，加热至沸腾5-10min后，冷却，将硅片依次采用去离子水和无水乙醇超声10-20min。

3.根据权利要求1所述的一种角度调控掩蔽制备有序纳米阵列结构的方法，其特征在于，步骤（2）所述六方密排聚苯乙烯微球阵列结构中聚苯乙烯微球的直径为200-500nm，所述聚苯乙烯微球之间的间距为70-150nm。

4.根据权利要求1所述的一种角度调控掩蔽制备有序纳米阵列结构的方法，其特征在于，步骤（3）中所述刻蚀方法为等离子刻蚀，刻蚀气体为体积比O₂:Ar=4-5:1的混合气体。

5.根据权利要求1所述的一种角度调控掩蔽制备有序纳米阵列结构的方法，其特征在于，步骤（3）中刻蚀后聚苯乙烯微球的直径为130-350nm，聚苯乙烯微球之间的间距为70-150nm。

6.根据权利要求1所述的一种角度调控掩蔽制备有序纳米阵列结构的方法，其特征在于，步骤（4）中所述磁控溅射靶材包括金或银。

7.根据权利要求1所述的一种角度调控掩蔽制备有序纳米阵列结构的方法，其特征在于，步骤（4）中所述磁控溅射厚度为20-50nm。

8.根据权利要求1所述的一种角度调控掩蔽制备有序纳米阵列结构的方法，其特征在于，步骤（4）中所述磁控溅射为在10-25W、1-1.5×10^-5 Pa、0.6-0.8Pa下，通入惰性气体进行磁控溅射。

9.根据权利要求8所述的一种角度调控掩蔽制备有序纳米阵列结构的方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气，气流量为20-30sccm。

10.一种如权利要求1-9所述方法制备得到的有序纳米阵列结构在检测肝癌细胞标志物中的应用。