[发明专利]光电子集成器件的光互联方法有效
申请号: | 202110181537.2 | 申请日: | 2021-02-09 |
公开(公告)号: | CN112925073B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 王欣;翟鲲鹏;孙文惠;李明;祝宁华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | G02B6/42 | 分类号: | G02B6/42 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 孙蕾 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光电子 集成 器件 光互联 方法 | ||
本发明提供了一种光电子集成器件的光互联方法,包括:制作光子引线;其中,所述光子引线所包括纤芯、应力区和内包层;将激光器和光调制器通过所述光子引线相连接,将激光器和保偏光纤、光调制器和保偏光纤通过所述光子引线相连接,建立保偏光学通道,实现光互联。本发明直接通过光子引线打印方法实现芯片内光电子器件的偏振互联,如激光器、调制器、保偏光纤等。所用紫外固化胶材料光学损耗低,可以光电子器件之间的高效互联。实现模场匹配,针对不同光电子器件的模斑不匹配情况,通过光子引线结构实现模场匹配。
技术领域
本发明涉及光纤通信、光电子器件和集成光电子封装等领域,具体涉及一种光电子集成器件的光互联方法。
背景技术
随着移动互联网、云计算、大数据的日渐繁荣,5G通信等新兴应用不断涌现,基于光纤通信的高速光通信和光纤传感器件不断发展。集成光电子成为信息传输的必经之路,而集成芯片的封装结构,光耦合损耗成为重要研究问题。小型集成光电子器件的研制和生产成为重要研究内容,使用混合集成芯片来克服电学芯片的“速率瓶颈”成为了一种主流方案,混合集成中的封装结构又是其重要的一环,芯片内保偏光学通道的建立将对于偏振敏感器件带来新的突破。之前所用的透镜耦合方式所带来的时间长,损耗大等问题可通过新型光子引线的方式来解决。
发明内容
有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种光电子集成器件的光互联方法,以期部分地解决上述技术问题中的至少之一。
为了实现上述目的,本发明提供了一种光电子集成器件的光互联方法,包括:
制作光子引线;其中,所述光子引线所包括纤芯、应力区和内包层;
将激光器和光调制器通过所述光子引线相连接,将激光器和保偏光纤、光调制器和保偏光纤通过所述光子引线相连接,建立保偏光学通道,实现光互联。
其中,制作光子引线的过程中,光子引线键合材料选用紫外固化胶。
其中,所述制作光子引线包括:
通过光子引线键合设备打印出纤芯;
通过光子引线键合设备打印出应力区;
将内包层包裹住整体应力区;
其中,应力区首先固化,内包层区域之后固化,产生拉应力。
其中,所述应力区在纤芯两侧,内包层包裹住纤芯和应力区。
其中,所述应力区为两个圆柱形部分,其形状包括椭圆形,多边形,与应力区设计有关。
其中,所述纤芯的折射率为N1,应力区的折射率为N2,内包层的折射率为N3,N1与N2与N3的关系为:N1>N2>N3。
其中,所述应力区的热膨胀系数为M2,内包层的热膨胀系数为M3,M2与M3的关系为:M2>M3。
其中,所述光学通道的通道数大于等于1。
其中,整个光电子集成器件位于热沉上。
其中,所述光互联方法应用在芯片内或者芯片间的混合集成,实现保偏性能。
基于上述技术方案可知,本发明的光互联方法相对于现有技术至少具有如下有益效果之一或其中的一部分:
(1)直接通过光子引线打印方法实现芯片内光电子器件的偏振互联,如激光器、调制器、保偏光纤等。
(2)所用紫外固化胶材料光学损耗低,可以光电子器件之间的高效互联。
(3)实现模场匹配,针对不同光电子器件的模斑不匹配情况,通过光子引线结构实现模场匹配。
附图说明
图1是本发明实施例提供的集成器件的光互联方法示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110181537.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。